威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
•
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
V
DS
= 30V
优化电路板空间。
低
DS （ ON）
损失，效率很高。
R
动力
, V
gs
@ 10V ，我
ds
@8.5A =
38mΩ
高电流能力，低正向电压降。
R
浪涌
, V
gs
@ 4.5V ，我
ds
@5A =
52mΩ
高
DS （ ON）
能力。
30V N沟道增强型MOSFET
特点
FM120-M
THRU
SE4812LT1
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
•
•
•
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
特点
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
先进的加工技术
•
无铅零件符合环保标准
•
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
无铅封装
机械数据
可用
对于超低导通电阻高密度电池设计
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
高功率
包装代号后缀
能力
符合RoHS的产品
和电流处理
＆ QUOT ; G＆ QUOT ;
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOT-23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
符合RoHS的产品包装代码
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
后缀“ G”
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
•
极性：由阴极频带指示
▼
小型封装
•
安装位置：任意
概要
•
重量：的逼近0.011克
▼
表面安装器件
0.031 （ 0.8 ）典型值。
N - 通道
典型值。
0.031(0.8)
3
▼
简单的驱动要求
方法2026
尺寸以英寸（毫米）
1
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，
信息
感性负载。
订购
60Hz，电阻
对于容性负载，减免电流20 ％
设备
记号
航运
标识代码
SE4812LT1
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
2
评级
N48
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
最大的经常峰值反向电压
3000/Tape&Reel
12
20
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
否则
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
最大
8.3ms单一正弦半波
峰值正向浪涌电流
收视率和热
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
特征
I
FSM
(T
A
= 25
o
C除非
说明）
极限
安培
典型热阻（注2 ）
典型结
V
DS
电容（注1 ）
工作温度范围
V
存储温度范围
GS
符号
参数
R
θJA
单位
V
漏源电压
C
J
T
J
栅源电压
TSTG
-55到+125
℃/W
PF
℃
℃
单位
伏
毫安
30
± 20
6.9
-
65
到+175
-55到+150
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
A
1)
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
I
DM
30
漏电流脉冲
V
F
0.50
0.70
I
D
连续漏电流
0.85
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
P
D
@T A = 125 ℃
I
R
最大功率耗散
TA = 25℃
0.5
TA = 75℃
10
o
o
0.9
0.92
2
W
1.44
-55到150
24
o
o
注意事项：
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJA
工作结存储温度范围
结到外壳热阻
结至环境热阻（PCB安装）
2)
C
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
62.5
C / W
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2
2盎司铜PCB板
2. 1中
3.由设计保证;不受生产测试
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
