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SE3406 参数 Datasheet PDF下载

SE3406图片预览
型号: SE3406
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内容描述: SOT- 23塑封装的MOSFET [SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 318 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
N沟道
低功耗,高效率。
场效应晶体管
增强型场
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
描述
超高速开关。
SE3406
采用先进的沟槽
硅结。
提供卓越的
硅外延平面芯片,金属
技术
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。此装置适合于用作
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品包装代码
负荷开关或PWM应用。
后缀"H"
FM120-M
SE3406
THRU
FM1200-M
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOT-23
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.门
2.源
3.排水
机械数据
免费产品
终端,每MIL -STD- 750
卤素
端子:镀
包装代号后缀为“H”
方法2026
最大额定值和电气特性
 
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
Pr
el
标识代码
标记: R6
评级
im
12
20
14
13
30
21
30
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
INA
V
RRM
V
RMS
I
O
14
40
28
40
15
50
35
50
 
I
FSM
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
ry
,
16
60
42
60
1.0
价值
 
30
无铅
环氧树脂: UL94 -V0
可用的
阻燃
额定火焰
案例:
包装代号后缀
符合RoHS的产品
模压塑料, SOD- 123H
”G”
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大额定值
电压
最大直流阻断
( T
a
= 25℃除非另有说明)
20
V
DC
最大正向平均整流电流
 
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
漏源电压
参数
符号
V
DS
单位
 
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
栅源电压
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
V
GS
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
 
30
±20
40
120
 
V
V
 
 
连续漏电流
I
D
-55到+125
漏电流脉冲
(注
存储温度范围
1)
3.6
 
15
-
65
到+175
0.35
357
150
0.70
0.5
A
-55到+150
A
W
℃/W
0.9
 
功耗
最大正向电压在1.0A DC
额定直流
温度
存储
阻断电压
 
从结点到环境的热阻
@T A = 125 ℃
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
V
F
I
R
0.50
0.85
0.92
 
结温
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
-55~ +150
10
 
 
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。