威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
•
增强型
保护。
P沟道
Guardring过电压
场效应晶体管
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
特征
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
高
•
密
产品包装代号后缀"G"
低R
DS （ ON）
.
RoHS指令
电池设计极
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SE340
FM120-M
THRU
FM1200-M
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.门
2.源
3.排水
0.040(1.0)
0.024(0.6)
呈导通电阻和最大直流电流能力
机械数据
无铅封装可用
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
D
标记： R1
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
G
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
S
V
RRM
V
RMS
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
13
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
18
80
56
10
100
70
115
150
105
150
120
200
140
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
最大直流阻断电压
20
V
DC
最大正向平均整流电流
42
60
1.0
30
40
120
30
80
100
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定
漏源电压
负荷（ JEDEC的方法）
参数
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
R
θJA
T
J
价值
-30
单位
V
典型热阻（注2 ）
栅源电压
连续漏电流
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
-55到+125
±12
-4.2
350
357
0.50
V
mW
℃
℃
-
65
到+175
A
-55到+150
℃/W
功耗
范围
储存温度
结温
特征
从结点到环境热阻（ t<5s ）
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
V
F
@T A = 125 ℃
150
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
储存温度
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
I
R
T
英镑
-55~+150
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
