威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
SOD-123
包
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批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
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低功耗，高效率。
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高电流能力，低正向电压降。
P沟道
高浪涌能力。
•
8 -V （D -S ）的MOSFET
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Guardring过电压保护。
•
特征
超高速开关。
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硅外延平面芯片，金属硅交界处。
TrenchFET功率MOSFET
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
SE2305
THRU
FM1200-M
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.门
2.源
3.排水
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
应用
环氧UL94 -V0额定阻燃
负载
•
开关
:
用于便携式设备
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案例：模压
DC / DC转换器
塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 （ 0.8 ）典型值。
无铅封装可用
方法2026
RoHS指令
极性：由阴极频带指示
后缀“ G”
•
产品包装代码
•
MOUNTING
产品
无卤
位置：任意
包装代号后缀为“H”
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
标记： S5
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
V
RRM
V
RMS
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
最大直流阻断电压
20
V
DC
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
参数
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
-8
单位
漏源电压
（ JEDEC的方法）
叠加在额定负荷
典型热阻（注2 ）
栅源电压
连续漏电流
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
-55到+125
±8
-4.1
-0.8
0.35
0.50
V
-55到+150
A
连续源极 - 漏极二极管电流
存储温度范围
-
65
到+175
最大功率耗散
从结点到环境的热阻（ t≤10s ）
结温
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
存储
阻断电压DC
@T A = 125 ℃
评级
温度
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
W
最大正向电压在1.0A DC
V
F
I
R
357
150
0.70
0.5
10
0.85
℃/W
℃
0.9
0.92
-50 ~+150
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
