威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
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低功耗，高效率。
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高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
P通道30 - V（D -S）
过电压保护。
•
Guardring为
MOSFET
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
特征
•
无铅零件符合环保标准
TrenchFET功率MOSFET
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
包
SE2303
THRU
FM1200-M
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT-23
应用
UL94 -V0额定阻燃
•
环氧树脂：
负载
案例：模压塑料， SOD- 123H
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开关用于便携式设备
DC / DC转换器
终端，每MIL -STD -750焊接的，
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端子：镀
方法2026
无铅封装可用
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极性：由阴极频带指示
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
安装位置：任意
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
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重量：的逼近0.011克
机械数据
1.门
2.源
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3.排水
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃评分
标记： S3
环境温度，除非另有规定。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
单位
漏源电压
典型结电容（注1 ）
工作温度
栅源电压
范围
典型热阻（注2 ）
参数
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
-30
±20
-1.9
0.50
0.70
0.35
-55到+125
40
120
-
65
到+175
V
-55到+150
A
连续漏电流
存储温度范围
连续源极 - 漏极二极管电流
特征
最大正向电压在1.0A
最大功率耗散
DC
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
S
-0.83
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
V
F
0.85
0.5
10
W
℃/W
℃
0.9
0.92
I
从结点到环境的热阻（ t≤5s ）
R
结温
储存温度
注意事项：
@T A = 125 ℃
357
150
-50 ~+150
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
