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SCS521CS-30T5G 参数 Datasheet PDF下载

SCS521CS-30T5G图片预览
型号: SCS521CS-30T5G
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内容描述: 百毫安表面贴装肖特基整流器 - 30V [100mA Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers - 30V]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 405 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SCS521CS-30T5G
100mA
表面贴装肖特基整流器 -
30V
-20V- 200V
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD- 923封装
SOD-123
无铅全国生产
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板
应用
空间。
低功耗,高效率。
低电流整流
正向电压降。
高电流能力,低
高浪涌
特点
能力。
Guardring过电压保护。
Extremelysmall表面安装型。 ( SOD- 923 )
超高速开关。
V
F
外延平面芯片,金属硅交界处。
高可靠性。
符合环保标准
无铅零件
We
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
声明产品的材料
包装代号后缀"G"
符合RoHS的产品
RoHS要求。
符合
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
FM120-M
THRU
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
1
0.071(1.8)
0.056(1.4)
无铅封装可用
机械数据
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
案例:模压塑料, SOD- 123H
方法2026
SOD-923
0.040(1.0)
0.024(0.6)
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
,
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
硅外延平面
安装位置:任意
设备
施工
极性:由阴极频带指示
尺寸以英寸(毫米)
1
阴极
2
阳极
设备标记和订购信息
重量:的逼近0.011克
8000/Tape&Reel
SCS521CS-30T5G
F
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
对于容性负载,
参数
由20%的
当前减免
范围
符号
最大额定值和电气特性
记号
航运
 
单位
V
R
反向电压(DC)的
30
V
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH
评级
平均
Io
mA
标识代码
rectifierd正向电流
12
13
100
14
15
16
I
FSM
正向电流浪涌峰值( 60赫兹· 1cyc )
V
RRM
500
40
mA
20
30
50
60
最大的经常峰值反向电压
125
28
结温
Tj
42
14
21
35
最大RMS电压
V
RMS
储存温度
-40到+125
TSTG
60
最大直流阻断电压
20
30
40
50
V
DC
I
O
 
I
FSM
最大正向平均整流电流
PEAK
电气特性
(Ta=25°C)
正弦波
正向浪涌电流8.3ms单半
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
参数
符号
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
 
典型热阻(注2 )
转发vpltage
典型结电容(注1 )
转发vpltage
工作温度范围
存储温度范围
V
F
V
F
I
R
分钟。
R
θJA
-
C
-
J
TSTG
反向电流
-
T
J
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.35
-55到+125
 
0.4
 
单位
V
V
µA
条件
I
F
=20mA
120
V
R
=10V
I
F
=10mA
40
1.0
 
30
 
 
 
-55到+150
 
10
-
65
到+175
 
电气特性曲线
(Ta=25
O
C)
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
Io
平均RECTIFI
正向电流IO( A)
0.3
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
平均整流
正向电流IO( A)
0.50
0.3
0A
0V
0.2
DC
D=1/2
0.1
Sin(θ=180)
0
0
25
50
75
0.70
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
0.85
0.5
10
0.9
0.92
 
额定DC阻断
 
0A
0V
电压
t
T
@T A = 125 ℃
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
I
R
注意事项:
0.2
DC
1 ,在测
D=1/2
和应用4.0伏的反向电压。
1兆赫
 
 
2-热阻结点到环境
0.1
Sin(θ=180)
0
0
25
50
75
100
环境温度: TA( ℃ )
降额曲线゙( IO- Ta)的
125
100
125
北部沿海地区案例:TC ( ℃ )
降额曲线゙(IO -TC)
2012-06
威伦电子COR
2012-11
威伦电子股份有限公司。