威伦
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
*理想的印刷
表面贴装为了申请
•
低调
电路板
*浪涌过载额定值：150安培峰值
优化电路板空间。
*安装位置：任意
•
低功耗，高效率。
RS401M
THRU
FM1
RS407M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
单相玻璃钝化
SOD-123
包
硅桥式整流器
包装外形
电压
特点
范围50至1000伏特电流4.0安培
SOD-123H
FM12
TH
无铅
.382 (9.7)
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
最大额定值和电气特性
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
.043 (1.1)
.035 (0.9)
.074 (1.9)
.059 (1.5)
.146
.130
.708
.669
(3.7)
(3.3)
(18.0)
(17.0)
.057 (1.45)
.041 (1.05)
.083 (2.1)
.069 (1.7)
.602 (15.3)
.578 (14.7)
f.134 (3.4)
.157 (4)
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
.122 (3.1)
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
.366 (9.3)
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
* UL认证认可组件目录，文件#E
195711
•
Guardring
有UL可燃性分类94V -O
*环氧：设备
过电压保护。
•
超高速开关。
无铅封装可用
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
无铅零件符合环保标准
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
RS-4M
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.995 (25.3)
.983 (24.7)
.189 (4.8)
.173 (4.4)
.150 (3.8)
.134 (3.4)
.114 (2.9)
.098 (2.5)
.031 (0.8)
.023 (0.6)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值
方法2026
极性
负载，减免
由阴极
对于电容
：指示
电流20％ 。
BAND
•
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
.303 (7.7)
.287 (7.3)
.303 (7.7)
.287 (7.3)
.303 (7.7)
尺寸
.287 (7.3)
以英寸（毫米）
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
V
RRM
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
V
RMS
V
DC
为
最大直流阻断
减免电流20 ％
容性负载，
电压
最大正向平均输出电流在T
C
= 100 C
o
最大额定值，电器
RS401M RS402M RS403M RS404M RS405M
特征
评级
符号
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
4.0
600
420
600
RS406M RS407M单位
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培
叠加
标识代码
在额定负荷（ JEDEC的方法）
评级
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH FM1150-
I
FSM
T
J
T
英镑
C
J
I
O
工作温度范围
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
-55到+ 150
50
40
150
-55到+ 150
16
60
42
60
1.0
RS406M
30
40
120
18
80
56
80
安培
0
0
最大直流阻断电压
典型结电容（注）
o
35
C
C
100
10
115
150
105
150
50
pF
70
100
电气特性
（在T
A
25℃除非
最大正向平均整流网络版
=
当前
另有说明）
O
I
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加
4.0A
额定负荷（ JEDEC的方法）
在元素
on
DC
额定最大反向电流
典型热阻（注2 ）
@T
A
= 25
o
C
@T
C
= 100 C
o
特征
每Bridgeat最大正向电压降
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
符号
V
F
I
R
RS401M RS402M RS403M RS404M RS405M
1.1
RS407M单位
伏
5
0.2
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
每个元素阻断电压DC
-55到+125
uAmps
毫安
-55到+150
注：测得1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
-
65
到+175
2012.10
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-M
威伦电子股份有限公司。
0.50
0.70
0.85
最大正向电压在1.0A DC
V
F
0.9
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
