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MURS160-FN3 参数 Datasheet PDF下载

MURS160-FN3图片预览
型号: MURS160-FN3
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内容描述: 1.0A表面装载超快速整流器 - 600V [1.0A SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIERS - 600V]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 293 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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1.0A
表面贴装
快速整流器
-
600V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
mFN-323
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
威伦
FM120-M
MURS160-FN3
FM1200-M
无铅产品
THRU
特点
包装外形
SOD-123H
特点
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
标识代码
参数
最大RMS电压
最大额定值,电器
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH
除非另有
FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
符号
特征
(在T = 25℃
FM180 - MH FM1100 -MH
说明)
评级
o
A
im
i
V
RRM
V
RMS
I
O
12
13
条件
14
20
30
40
14
21
28
15
50
35
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
最大额定值和电气特性
最大的经常峰值反向电压
Pr
el
na
42
60
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
机械数据
每MIL -STD- 750可焊性,
端子:镀金端子,
方法2026
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
极性:由阴极频带指示
案例: MFN -323
安装位置:任意
安装位置:任意
0.011克
重量:的逼近
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
ry
I
O
56
0.103(2.60)
0.095(2.40)
0.026(0.65)
0.014(0.35)
尺寸以英寸(毫米)
尺寸以英寸(毫米)
正向整流电流
见图2
16
符号最小值。
10
典型值。
115
18
马克斯。
120
单位
60
80
100
150
200
70
100
105
1.0
0.026(0.66)
0.022(0.56)
机械数据
0.056(1.40)
0.048(1.20)
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
型材表面安装
正向电压降。
to
高电流能力,低
为了应用
优化电路板
能力。
高浪涌
空间。
Guardring过电压保护。
微型扁平无引脚封装。
超高速开关。
玻璃钝化结。
硅外延
可用的
无铅封装
平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
无卤素产品
阴极结束
极性:
色环表示
包装代号后缀"H"
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
mFN-323
0.044(1.10)
0.036(0.90)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.017(0.43)
0.013(0.33)
140
A
安培
最大直流阻断电压
正向浪涌电流
 
最大正向平均整流电流
8.3ms单半正弦波叠加
20
30
40
50
V
DC
率负荷( JEDEC梭)
I
FSM
80
1.0
 
I
R
30
C
J
40
英镑
120
150
30
200
A
反向电流
V
R
= V
 
RRM
T
J
= 25
O
C
峰值正向浪涌
结电容
典型的二极管
电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
应用4V直流反向电压
F = 1MHz至
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
5.0
25
μA
 
pF
安培
+175
O
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
储存温度
 
T
 
-65
 
-55到+125
 
-55到+150
C
℃/W
PF
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
毫安
I
R
 
* 1最高可重复峰值反向电压
0.5
注意事项:
符号
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
*1
V
RRM
(V)
V
RMS
*2
(V)
*3
V
R
(V)
*4
V
F
(V)
1.25
*5
t
rr
(纳秒)
50
操作
温度
T
J
, (
O
C)
-55到+150
10
* 2最高可RMS电压
* 3最高可阻断电压DC
* 4最大正向电压@ I
F
=1.0A,T
J
=25°C
* 5最大反向恢复时间,注意事项1
 
 
2-热阻结点到环境
MURS160-FN3
600
420
600
注意: 1.反向恢复时间测试条件,我
F
= 0.5A ,我
R
= 1.0A ,我
RR
=0.25A
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-
0
威伦电子股份有限公司。