FM120-M
THRU
MMBT5551WT1
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
双NPN小信号表面
SOD-123
包
无铅产品
MOUNT晶体管
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
威伦
特点
包装外形
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
特征
优化电路板空间。
我们宣布
EF网络效率。
•
低功耗，高
产品符合RoHS要求的材料。
无铅封装可用
•
高电流能力，低正向电压降。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
高浪涌能力。
卤素
过电压保护。
•
Guardring
免费的产品包装代号后缀为“H”
•
超高速开关。
设备标记和订购信息
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
设备
记号
航运
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
MMBT5551WT1
G1
3000/Tape&Reel
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
最大额定值
包装代号后缀"H"
无卤素产品
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT–323
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
机械数据
等级
符号
价值
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
160
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
V
CBO
180
集电极 - 基极电压
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
•
安装位置：任意
•
热特性
•
重量：的逼近0.011克
特征
发射极 - 基极电压
V
EBO
方法2026
连续集电极电流 -
I
极性：由阴极频带指示
C
6.0
600
3
0.040(1.0)
集热器
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
1
BASE
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
符号
最大
单位
14
35
°C
T
J
, T
英镑
21
-55〜
28
+150
最大直流阻断电压
20
30
40
50
V
DC
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
最大正向平均整流电流
I
O
特征
符号
民
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
最大RMS电压
结温和存储温度
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
最大额定值，电器
D
特征
P
225
mW
T
A
= 25°C
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
减免上述25℃
1.8
毫瓦/°C的
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
热阻，结到环境
R
θJA
556
° C / W
对于容性负载，减免电流20 ％
器件总功耗
300
mW
P
D
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
标识代码
12
13
14
15
18
10
115
120
减免上述25℃
2.4
毫瓦/°C的
16
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
伏
热阻，结到环境
V
RRM
R
θJA
417
° C / W
V
RMS
42
56
70
105
140
伏
伏
60
1.0
最大
30
40
120
80
100
150
200
安培
单位
℃/W
PF
℃
℃
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
开关特性
安培
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
典型结电容（注1 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
V
（ BR ） CEO
-55到+125
160
—
VDC
-55到+150
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ，
I
E
= 0)
特征
-
65
到+175
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
（ BR ） CBO
180
—
VDC
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
V
F
I
R
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
伏
注意事项：
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= 120VDC ，我
E
= 0)
@T A = 125 ℃
V
（ BR ） EBO
I
CBO
6.0
—
—
—
50
50
0.5
10
VDC
NADC
μAdc
MAMP
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
( V
CB
= 120VDC ，我
E
= 0, T
A
=100
2-热阻结点到环境
°C)
发射Cuto FF电流
( V
BE
= 4.0Vdc ，我
C
= 0)
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
µs,
占空比= 2.0 ％ 。
I
EBO
—
50
NADC
2012-11
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
