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MMBT5551DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551DW1T1图片预览
型号: MMBT5551DW1T1
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内容描述: 双NPN小信号表面贴装晶体管 [DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 341 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
特征
优化电路板空间。
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
无铅封装可用
产品包装代号后缀“G”
RoHS指令
浪涌能力。
Guardring过电压保护。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
超高速开关。
硅外延
芯片,金属硅交界处。
器件标识
平面
订购信息
无铅零件符合环保标准
设备
航运
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
记号
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
MMBT5551DW1T1
G1
3000/Tape&Reel
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
MMBT5551DW1T1
THRU
FM1200-M
无铅产品
双NPN小信号表面贴装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
特点
包装外形
SOD-123H
6
0.146(3.7)
0.130(3.3)
5
0.012 ( 0.3 )典型值。
4
1
2
3
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT-363/SC-88
机械数据
最大额定值
: UL94 -V0额定阻燃
环氧树脂
等级
符号
价值
单位
案例:模压塑料, SOD- 123H
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
140
,
VDC
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
集电极 - 基极电压
V
CBO
方法2026
发射极 - 基极电压
由阴极
V
EBO
极性:指示
BAND
160
6.0
600
VDC
VDC
MADC
C
2
0.031 ( 0.8 )典型值。
B
1
0.040(1.0)
E
1
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
E
C
B
2
2
1
安装位置:任意
连续集电极电流 - 我
C
重量的逼近0.011克
:
特征
特征
最大
符号
最大
单位
额定值和电气特性
 
 
器件总功耗的FR
除非另有规定ED 。
在25 ℃的环境温度额定值
第5局, ( 1 )
P
D
225
mW
T
A
=
半波,60赫兹,感性负载的电阻。
单相
25°C
减免上述25℃
1.8
毫瓦/°C的
对于容性负载,减免电流20 %
热阻,结到环境
R
θJA
556
° C / W
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
评级
器件总功耗
mW
P
D
标识代码
12
13
300
14
15
16
18
10
115
120
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
Vo
V
RRM
减免上述25℃
2.4
毫瓦/°C的
Vo
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
热阻,结到环境
V
RMS
R
θJA
417
° C / W
Vo
最大
电压
温度
隔直
存储
30
+150
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
T
J
,
20
英镑
T
–55
°C
Am
最大正向平均整流电流
I
O
1.0
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
 
 
 
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
单位
I
FSM
Am
特征
符号
最大
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
开关特性
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
Voltage(3)
集电极 - 发射极击穿
操作
(I = 1.0 MADC ,I = 0)
温度范围
存储温度范围
C
B
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
-55到+125
( BR ) CEO
40
120
 
 
-55到+150
P
160
 
VDC
-
65
到+175
VDC
 
集电极 - 基极击穿电压
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定直流
(I
阻断电压
E
V
V
F
I
R
0.50
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
( BR ) CBO
180
0.70
0.85
0.9
0.92
 
Vo
发射极 - 基极击穿电压
= 10
μAdc ,
I
C
= 0)
V
( BR ) EBO
0.5
@T A = 125 ℃
 
6.0
10
VDC
mA
收藏家Cuto FF电流
(
1
= 120VDC ,我
E
= 0)
1测
V
CB
兆赫和应用4.0伏的反向电压。
注意事项:
2-热阻结点到环境
I
CBO
V
50
50
50
NADC
μAdc
NADC
 
 
( V
CB
= 120VDC ,我
E
= 0, T
A
=100 °C)
I
EBO
发射Cuto FF电流
( V
BE
= 4.0Vdc ,我
C
= 0)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
µs,
占空比= 2.0 % 。
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。