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MMBT4403WT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT4403WT1图片预览
型号: MMBT4403WT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 509 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
THRU
MMBT4403WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
带宽
更好的反向漏电流和耐热性。
= 1.0赫兹
低调的表面安装,以便应用程序
10
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
8
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
= 1.0毫安,R
S
C
保护。
Guardring为
I
过压
= 430Ω
6
I
C
= 500
µA,
R
S
= 560Ω
超高速开关。
I
C
= 50
µA,
R = 2.7kΩ
芯片,
硅外延平面
R
S
= 1.6
金属硅交界处。
kΩ
I
C
= 100
µA,
S
4
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品
R
包装代号后缀"G"
2
=最佳源电阻
S
无卤素产品的包装代号后缀"H"
NF ,噪声系数(dB )
V
CE
= -10伏直流,
批量处理的设计,出色的功耗报价
T
A
= 25°C
SOD-123H
威伦
特点
小信号特性
噪声系数
SOD-123
无铅机生产线
概要
10
F = 1.0千赫
8
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
NF ,噪声系数(dB )
6
4
I
C
= 50
µA
100
µA
500
µA
1.0毫安
0.071(1.8)
0.056(1.4)
2
0
机械数据
0.010.02 0.05 0.1 0.2
环氧树脂: UL94 -V0
0.5 1.0 2.0
额定火焰
5.0 10
阻燃
20
50
100
0
50 100
200
500
1k
2k
5k
10k
20k
F频率(KHZ )
案例:模压
,
塑料, SOD- 123H
,
图8.频率的影响
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
50k
0.024(0.6)
图9.源电阻的影响
S
0.031 ( 0.8 )典型值。
R,源电阻( Ω )
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
极性:由阴极频带指示
(V
CE
= -10伏直流, F = 1.0千赫,T
A
= 25°C)
安装位置:任意
这组曲线图示出了用于这一系列ransistors h的铁和其他“h”的参数之间的关系。要获得这些曲线,
重量:的逼近0.011克
从MMBT4403WT1线,并且在同一单位被用于将相应地开发
高增益和低增益单元被选定
h参数值
每个图的编号曲线。
h
ie
,输入阻抗( kΩ的)
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
700
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
500
对于容性负载,减免电流20 %
h
fe
,电流增益
300
1000
最大额定值和电气特性
100
50
20
10
5
MMBT4403WT1 UNIT 1
MMBT4403WT1 UNIT 2
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
200
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
100
最大直流阻断电压
70
50
最大正向平均整流电流
 
MMBT4403WT1 UNIT 1
V
RMS
MMBT4403WT1 UNIT 2
V
RRM
V
DC
I
O
12
20
14
20
13
30
2
21
1
30
0.5
0.2
0.1
0.1
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
0.1
0.2 0.3
0.5
法)
叠加在额定负荷( JEDEC
0.7 1.0
2.0
3.0
 
I
FSM
 
2.0
3.0
7.0 5.0
10
7.0 5.0
10
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
I
C
,集电极
典型热阻(注2 )
CURRENT ( MADC )
R
θJA
h
re
电压反馈RATIO ( ×10
–4
)
 
图10.电流增益
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
10
5.0
20
C
J
T
J
TSTG
 
-55到+125
h
oe
,输出导纳(
μmhos )
500
I
C
,集电极电流( MADC )
 
40
图11.输入
120
阻抗
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
MMBT4403WT1 UNIT 1
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
1.0
0.5
MMBT4403WT1 UNIT 2
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
符号
100
V
F
I
R
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
2.0
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
 
0.5
10
MMBT4403WT1 UNIT 1
MMBT4403WT1 UNIT 2
@T A = 125 ℃
 
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
2-热阻结点到环境
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
I
C
,集电极电流( MADC )
图12.电压反馈比例
I
C
,集电极电流( MADC )
图13.输出导纳
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR