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MMBT4401WT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT4401WT1图片预览
型号: MMBT4401WT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 533 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
THRU
MMBT4401WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
小信号
SOD-123
特征
噪声系数
包装外形
特点
V
CE
= 10 VDC ,T
A
= 25°C
批量处理的设计,出色的功耗报价
带宽= 1.0赫兹
更好的反向漏电流和耐热性。
SOD-123H
10
低调的表面安装,以便应用程序
10
优化电路板空间。
S
= 150
I
C
= 1.0毫安,R
F = 1.0千赫
0.146(3.7)
低功耗
I
损失,效率很高。
R
S
=优化
= 500
µA,
R
S
= 200
C
8.0
0.130(3.3)
8.0
I
C
能力,
2.0
前锋
RS =
来源
电压降。
HIGH CURRENT
= 100
µA,
R
S
=
kΩ
I
C
= 50
µA
= 50
µA,
R
S
高浪涌
I
能力。
= 4.0 kΩ
RS =
阻力
I
C
= 100
µA
C
6.0
Guardring过电压保护。
I
C
= 500
µA
6.0
I
C
= 1.0毫安
超高速开关。
4.0
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
4.0
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
2.0
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
2.0
无卤素产品的包装代号后缀"H"
NF ,噪声系数(dB )
0
威伦
无铅机生产线
NF ,噪声系数(dB )
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
0.010.02
0.05 0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
500
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
男,频率(KHz )
案例:模压塑料, SOD- 123H
图9.频率的影响
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
h参数值
方法2026
0
100
200
500
1.0k 2.0k
5.0k
10k
20k
0.040(1.0)
50k 100k
0.024(0.6)
图10.源电阻的影响
S
0.031 ( 0.8 )典型值。
R,源电阻值(kΩ )
0.031 ( 0.8 )典型值。
(V
尺寸以英寸(毫米)
极性:由阴极频带指示
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C)
安装位置:任意
示出了用于这个系列h的铁和其他“h”的参数之间的关系
这组图形
ransistors 。为了获得这些曲线,高增益和低增益单元从所选择的
MMBT4401WT1
重量:的逼近0.011克
300
线,并且在同一单位被用于开发各曲线图上的相应编号的曲线。
最大额定值和电气特性
50
h
ie
,输入阻抗( kΩ的)
20
10
h
fe
,电流增益
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
200
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
100
70
MMBT4401WT1
1号机组
MMBT4401WT1
2号机组
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
最大的经常峰值反向电压
50
最大RMS电压
MMBT4401WT1
1号机组
12
V
RRM
MMBT4401WT1
2号机组
20
V
RMS
V
DC
I
O
2.0
3.0
13
30
5.0
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
1.0
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
14
20
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
 
21
2.0
30
1.0
0.5
30
20
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
C
典型热阻(注2 )
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
 
FSM
I
7.0 5.0
 
2.0
3.0
7.0 5.0
10
10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
h
re
电压反馈RATIO ( ×10
–4
)
图11.电流增益
典型结电容(注1 )
10
工作温度范围
我,集电极电流(毫安)
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
h
oe
,输出导纳(
μmhos )
-55到+125
100
50
I
C
,集电极电流(毫安)
 
40
图12.输入阻抗
120
 
-55到+150
 
存储温度范围
7.0
-
65
到+175
 
5.0
3.0
2.0
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
1.0
0.7
注意事项:
0.5
MMBT4401WT1
UNIT1
MMBT4401WT1
UNIT1
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
MMBT4401WT1
UNIT2
MMBT4401WT1
2号机组
0.9
0.92
V
F
0.70
0.85
20
0.50
I
R
10
5.0
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
 
0.5
10
 
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
2-热阻结点到环境
0.3
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
7.0 5.0
10
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图13.电压反馈比例
图14.输出导纳
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR