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    MMBT3906LT1 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3906LT1图片预览
    型号： MMBT3906LT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管PNP硅 [General Purpose Transistors PNP Silicon]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 659 K
    品牌： WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
     浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第6页  
    威伦
    MMBT3906LT1
    3V
    + 9.1 V
    <1ns
    3V
    275
    275
    10 k
    0
    + 0.5 V
    0
    <1 NS
    10 k
    C
    S
    < 4.0 pF的*
    1N916
    t
    1
    C
    S
    < 4.0 pF的*
    – 10.6 V
    300ns
    占空比= 2 ％
    10 <吨
    1
    ＆ LT ; 500
    µs
    占空比= 2 ％
    10.9 V
    测试夹具和连接器的*总并联电容
    图1.延迟和上升时间
    等效测试电路
    图2.存储和下降时间
    等效测试电路
    典型的瞬态特性
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    10.0
    5000
    3000
    7.0
    5.0
    2000
    V
    CC
    = 40 V
    I
    C
    / I
    B
    = 10
    C
    敖包
    C
    IBO
    Q， CHARGE （ PC）
    电容（pF）
    1000
    700
    500
    3.0
    300
    200
    100
    70
    2.0
    Q
    T
    Q
    A
    1.0
    0.1
    0.2 0.3
    0.5 0.7 1.0
    2.0 3.0
    5.0 7.0 10
    20 30 40
    50
    1.0
    2.0 3.0
    5.0 7.0 10
    20
    30
    50 70 100
    200
    反向偏置（伏）
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图3.电容
    500
    300
    200
    100
    70
    50
    500
    图4.收费数据
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    V
    CC
    = 40 V
    I
    B1
    = I
    B2
    I
    C
    /I
    B
    = 20
    t
    r
    ，下降时间（ NS ）
    100
    70
    50
    30
    20
    10
    7
    5
    300
    200
    t
    r
    @V
    CC
    =3.0V
    15 V
    40 V
    2.0 V
    t
    d
    @V
    OB
    =0V
    1.0
    2.0 3.0
    5.0 7.0 10
    20
    30
    50 70 100
    200
    时间（纳秒）
    30
    20
    10
    7
    5
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    1.0
    2.0 3.0
    5.0 7.0 10
    20
    30
    50 70 100
    200
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图5.开启时间
    图6.下降时间

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