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    MMBT2907LT1 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2907LT1图片预览
    型号： MMBT2907LT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管PNP硅 [General Purpose Transistor PNP Silicon]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 530 K
    品牌： WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
     浏览型号MMBT2907LT1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2907LT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2907LT1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2907LT1的Datasheet PDF文件第5页  
    威伦
    MMBT2907LT1
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明） （续）
    特征
    符号
    h
    FE
    MMBT2907
    MMBT2907A
    MMBT2907
    MMBT2907A
    MMBT2907
    MMBT2907A
    MMBT2907
    MMBT2907A
    MMBT2907
    MMBT2907A
    V
    CE （ SAT ）
    ––
    ––
    V
    BE （ SAT ）
    MMBT2907ALT1
    民
    最大
    单位
    ––
    基本特征
    直流电流增益
    (I
    C
    = -0.1mAdc ，V
    CE
    = -10伏直流）
    (I
    C
    = -1.0mAdc ，V
    CE
    = -10伏直流）
    (I
    C
    = -10 MADC ，V
    CE
    = -10VDC ）
    (I
    C
    = -150mAdc ，V
    CE
    = -10伏）（3）
    (I
    C
    = -500mAdc ，V
    CE
    = -10伏）（3）
    集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）
    (I
    C
    = -150mAdc ，我
    B
    = -15 MADC ）
    (I
    C
    = -500 MADC ，我
    B
    = -50 MADC ）
    基射极饱和电压（ 3 ）
    (I
    C
    = -150mAdc ，我
    B
    = -15 MADC ）
    (I
    C
    = -500mAdc ，我
    B
    = -50 MADC ）
    35
    75
    50
    100
    75
    100
    ––
    100
    30
    50
    ––
    ––
    ––
    ––
    ––
    ––
    ––
    300
    ––
    ––
    VDC
    –0.4
    –1.6
    VDC
    ––
    ––
    –1.3
    –2.6
    小信号特性
    电流增益 - 带宽积（ 3），（ 4）
    (I
    C
    = -50mAdc ，V
    CE
    = -20Vdc ， F = 100MHz时）
    输出电容
    (V
    CB
    = -10伏直流，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入电容
    (V
    EB
    = -2.0Vdc ，我
    C
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    f
    T
    200
    ––
    敖包
    ––
    8.0
    30
    兆赫
    pF
    pF
    C
    C
    IBO
    ––
    开关特性
    开启时间
    延迟时间
    上升时间
    下降时间
    贮存时间
    关断时间
    (V
    CC
    = -30伏直流，
    I
    C
    = -150 MADC ，我
    B1
    = -15 MADC ）
    (V
    CC
    = -6.0伏，
    I
    C
    = -150 MADC ，我
    B1
    = I
    B2
    = 15 MADC ）
    t
    on
    t
    d
    t
    r
    t
    f
    t
    s
    t
    关闭
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    45
    10
    40
    30
    80
    100
    ns
    ns
    3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
    µs,
    占空比< 2.0 ％ 。
    4. f
    T
    被定义为频率在哪些| H ˚F
    e
    |推断团结。
    输入
    ž O = 50
    Ω
    PRF = 150 PPS
    上升时间<2.0 NS
    P.W. <200 NS
    1.0 k
    0
    –16 V
    200纳秒
    50
    输入
    –30 V
    200
    Z
    O
    = 50
    Ω
    PRF = 150 PPS
    上升时间<2.0 NS
    P.W. < 200纳秒
    0
    –30 V
    200纳秒
    图2.存储和下降时间测试电路
    50
    1N916
    +15 V
    1.0 k
    1.0 k
    到示波器
    上升时间< 5.0纳秒
    –6.0 V
    37
    到示波器
    上升时间< 5.0纳秒
    图1.延迟和上升时间测试电路

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