FM120-M
THRU
MMBT2907AWT1
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基
晶体管
通用
势垒整流器-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
PNP硅
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低功耗，高效率。
HIGH CURRENT
•
特征
能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
•
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
Guardring过电压保护。
•
无铅封装可用
•
超高速开关。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合
包装
标准
“H”
•
无卤产品
环境的
代号后缀
of
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
订购信息
无卤素产品的包装代号后缀"H"
r
设备
记号
机械数据
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
航运
SOT–323
0.040(1.0)
0.024(0.6)
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
MMBT2907AWT1
20
3000/Tape&Reel
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
3
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
方法2026
最大额定值
•
极性：由阴极频带指示
等级
符号
•
安装位置：任意
集电极 - 发射极电压
V
•
重量：的逼近0.011克
首席执行官
集电极 - 基极电压
V
CBO
INA
价值
– 60
单位
VDC
– 60
VDC
MADC
12
符号
20
P
D
14
20
θJA
R
13
30
21
30
14
最大
40
150
28
40
833
15
单位
50
mW
35
50
° C / W
16
60
42
60
尺寸以英寸（毫米）
1
BASE
2
辐射源
标识代码
Pr
el
热特性
评级
最大的经常峰值反向电压
im
– 5.0
发射极 - 基极电压
V
EBO
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
连续集电极电流 -
I
C
– 600
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
最大额定值和电气特性
VDC
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
最大RMS
= 25°C
V
RMS
T
A
电压
最大直流阻断电压
热阻，结到环境
V
DC
最大正向平均整流电流
结温和存储温度
特征
18
80
56
80
1.0
30
40
120
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
I
O
T
J
, T
英镑
-55到+150
°C
AMP
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件标识
I
FSM
AMP
典型热阻（注2 ）
MMBT2907AWT1
=20
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
R
θJA
C
J
T
J
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有
+125
-55〜
注意）。
TSTG
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
最大
-
65
到+175
单位
存储温度范围
特征
符号
民
开关特性
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
最大正向电压在1.0A DC
(I
C
= - 10 MADC ，我
B
=
at
最大平均反向电流
0)
@T A = 25 ℃
集电极 - 发射极击穿电压
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
V
F
I
R
V
（ BR ） CEO
–60
0.50
—
0.70
VDC
0.5
10
VDC
0.85
0.9
0.92
伏
MAMP
注意事项：
(I
C
= - 10 MADC ，我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -10μAdc ，我
C
= 0)
V
V
（ BR ） CBO
–60
–5.0
—
—
—
—
– 50
– 50
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
（ BR ） EBO
VDC
NADC
NADC
2-热阻结点到环境
基地截止电流
( V
CE
= -30Vdc ，V
EB （O FF ）
= -0.5Vdc ）
收藏家Cuto FF电流
( V
CE
= -30Vdc ，V
EB （O FF ）
= -0.5Vdc ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
µs,
占空比< 2.0 ％ 。
I
BL
I
CEX
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
