FM120-M
THRU
MMBT2222AWT1
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
通用晶体管
SOD-123
包
更好的反向漏电流和耐热性。
特征
•
低调的表面安装，以便应用程序
基本特征（ 1 ）
优化电路板空间。
•
低功耗，
增益（1）
直流电流
高英法fi效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
•
高浪涌能力。
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
•
Guardring
10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
=
过电压保护。
高速开关。
•
超
（ I = 150 MADC ，V = 10 VDC ）
C
CE
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
•
无铅零件符合环保标准
集电极 - 发射极
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
饱和电压（ 1）
产品
MADC ，我
B
= 15 MADC ）
•
RoHS指令
(I
C
= 150
包装代号后缀"G"
(I
C
= 500 MADC ，我
B
包装CODE
无卤素产品
= 50 MADC ）
后缀"H"
基射极饱和
机械数据
Voltage(1)
（I = 150 MADC ，我
B
阻燃
•
环氧树脂：
C
UL94 -V0评分
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
威伦
无铅产品
•
批量处理
特征
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
电动
设计，出色的功耗报价
符号
h
FE
35
50
75
100
40
V
CE （ SAT ）
––
––
V
BE （ SAT ）
特点
包装外形
民
SOD-123H
最大
0.146(3.7)
0.130(3.3)
单位
––
––
––
––
—
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
––
VDC
0.3
1.0
VDC
1.2
2.0
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.6
––
0.031 （ 0.8 ）典型值。
小信号特性
•
•
(V
近似0.011克
•
重量：
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
INA
C
敖包
C
––
––
方法2026
电流增益 - 带宽积
极性：由阴极频带指示
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20VDC ， F = 100兆赫）
安装位置：任意
输出电容
输入电容
最大
I
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
= 0.5伏，
收视率和
ry
f
T
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
300
兆赫
尺寸以英寸
––
（毫米）
和
8.0
30
pF
pF
输入阻抗
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
h
ie
0.25
1.25
k
Ω
(V
波，60赫兹，感性负载的电阻。
单相半
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
–4
对于电容
电压反馈比例
20%
负载，减免电流
h
re
––
4.0
X 10
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
评级
小信号电流增益
标识代码
12
13
14
h
fe
15
16
18
10
—
115
120
75
375
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
VOL
V
RRM
输出导纳
VOL
14
21
28
h
oe
35
42
56
70
140
25
200
μmhos
105
最大RMS电压
V
RMS
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
VOL
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
噪声系数
NF
––
4.0
dB
Am
最大正向平均整流网络版
100
μAdc ，
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫）
I
O
1.0
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
=
当前
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
I
FSM
Am
开关特性
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
= - 0.5伏
R
θJA
15
上升时间
典型结电容（注
I
C
= 150 MADC ，我
B1
=
C
J
MADC ）
1)
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
贮存时间
存储温度范围
延迟时间
Pr
el
im
IBO
电气特性
t
d
t
r
t
s
t
f
0.50
0.70
-55到+125
—
40
—
120
10
25
ns
-55
225
+150
ns
℃/W
PF
T
J
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC
下降时间
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
TSTG
—
℃
-
65
到+175
—
60
℃
1.脉冲测试：脉冲宽度<300
µs,
占空比<2.0 ％ 。
最大正向电压在1.0A DC
V
F
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
0.85
0.5
10
0.9
0.92
VOL
订购信息
A=125℃
@T
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
MAM
注意事项：
设备
记号
航运
MMBT2222AWT1
P1
3000/Tape&Reel
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
