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MMBD4448HTX 参数 Datasheet PDF下载

MMBD4448HTX图片预览
型号: MMBD4448HTX
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内容描述: SOT- 523塑封装二极管 [SOT-523 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 361 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号MMBD4448HTX的Datasheet PDF文件第2页  
威伦
二极管
SOT- 523塑封装
FM120-M
MMBD4448HTx
THRU
FM1200-M
无铅产品
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
开关二极管
包装外形
SOT-523
特点
特点
批量处理的设计,出色的功耗报价
开关速度快
电流和耐热性。
更好的反向漏
SOD-123H
低调的表面安装,以便应用程序
对于通用开关应用
优化电路板空间。
0.146(3.7)
低功耗,高效率。
0.130(3.3)
高电流能力,低正向电压降。
无铅封装可用
高浪涌能力。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
Guardring过电压保护。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
超高速开关。
硅外延平面芯片,
湿度敏感度等级1
金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
ry
0.031 ( 0.8 )典型值。
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
V
RRM
峰值重复
最大额定值和电气特性
峰值反向电压
im
V
R( RMS )
I
FM
I
O
V
RRM
V
RMS
I
O
12
20
14
13
30
21
30
INA
80
57
14
40
28
40
尺寸以英寸(毫米)
极性:由阴极频带指示
最大额定值和电气特性,单二极管@ TA = 25
安装位置:任意
参数
符号
极限
单位
重量:的逼近0.011克
100
V
V
RM
非重复性峰值反向电压
V
RWM
工作
在25 ℃的环境温度,除非另有规定。
评级
峰值反向电压
对于容性负载,减免
 
RMS反向电压
20%的电流
单相
电压
V
R
隔直
半波,60赫兹,感性负载的电阻。
评级
V
V
前锋
CODE
连续电流
记号
Pr
el
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
500
最大的经常
输出电流
平均整流
峰值反向电压
最大直流阻断电压
 
15
50
250
35
4.0
50
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
115
100
mA
150
70
100
mA
120
200
140
200
V
最大RMS
浪涌
山顶前进
电压
电流@ T =是1.0μs
最大正向平均整流电流
@t = 1.0S
I
DC
V
FSM
 
P
D
20
1.5
A
mW
℃/W
105
150
V
V
功耗
150
833
-55 ~+150
A
热阻结到环境
存储
热阻(注2 )
温度
典型
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
R
θJA
 
A
英镑
R
θJA
T
 
 
电动
温度
@Ta=25℃
操作
评级
范围
存储温度范围
典型结电容(注1 )
C
J
T
J
TSTG
 
-55到+125
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
参数
符号
V
F
R
典型值
最大
0.50
单位
0.70
条件
0.85
R
特征
反向
击穿电压
最大正向电压在1.0A DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
80
V
V
I = 2.5μA
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
F1
I
R
@T A = 125 ℃
V
F2
额定阻断电压DC
 
正向电压
注意事项:
V
F3
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
0.62
0.72
0.855
1.0
1.25
V
V
V
V
0.5
10
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=150mA
V
R
= 70V
V
R
=20V
V
R
=6V,f=1MHz
V
R
=6V,I
F
=5mA
0.9
0.92
 
V
m
V
F4
I
R1
I
R2
C
T
t
rr
 
 
反向电流
0.1
25
3.5
4
μA
nA
pF
ns
终端之间的电容
反向
恢复时间
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-1
威伦电子股份有限公司。