威伦
WBFBP - 03B塑封装的MOSFET
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏
MOSFET（ N通道）
电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
描述
高英法fi效率。
•
低功耗，
高
高电流能力，
技术。
电压降。
•
电池密度，DMOS
低正向
这些产品已被设计成
•
高
通态电阻，同时提供坚固，可靠，快速切换
最小化
浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
性能。它们能够用于需要高达400mA的直流大多数应用中使用
•
超高速开关。
•
可提供脉冲电流高达2A 。这些产品特别适用于
和
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
于低电压，低电流的应用，如小的伺服电机控制，功率
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
THRU
M7002NND03
FM1200-M
无铅产品
D
顶部
0.012 （ 0.3 ）典型值。
特点
包装外形
WBFBP-03B
(1.2×1.2×0.5)
0.146(3.7)
单位：mm
0.130(3.3)
SOD-123H
G
0.071(1.8)
0.056(1.4)
S
D
1.门
2.源
3.排水
后
S
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
符合RoHS的产品包装代码
开关
MOSFET栅极驱动器，和其他
后缀"G"
应用程序。
特点
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
高密度电池设计低R
DS （ ON）
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
电压控制的小信号开关
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
坚固可靠
2026
法
机械数据
G
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
饱和电流能力
高
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
应用
尺寸以英寸（毫米）
N沟道
最大额定值和电气特性
增强型场效应晶体管
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
标记： 72
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
符号
评级
D
115
标识代码
12
14
15
16
18
10
120
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
13
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
无铅封装可用
对于容性负载，减免电流20 ％
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
20
14
30
21
40
50
60
80
56
100
70
28
40
35
50
42
60
1.0
30
72
105
S
150
150
200
140
伏
伏
伏
安培
20
30
80
100
G
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定
评级
(T
a
=25
℃
最大
负荷（ JEDEC的方法）
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
符号
除非另有说明
)
R
θJA
C
J
T
J
参数
V
DS
I
D
P
D
T
J
漏源
电压
-55到+125
40
价值
120
60
-55到+150
单位
V
V
mA
0.9
℃/W
PF
℃
℃
V
GSS
存储温度范围
栅源电压 - 连续
TSTG
±20
-
65
到+175
115
0.50
0.70
0.5
10
特征
最大漏极电流 - 脉冲
功耗
V
F
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
最大正向电压在1.0A DC
150
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
R
θJA
T
英镑
热阻
从
结到环境
结温
I
R
@T A = 125 ℃
833
150
0.85
mW
℃
℃
℃/W
0.92
伏
毫安
储存温度
-55~+150
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
