FM120-M
LM1MA141WK
THRU
共阴极硅
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
LM1MA142WK
产品
无铅
双开关二极管
SOD- 123封装
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
常见
能力。
这
高浪涌
阴极硅外延平面双二极管是专为
•
超高速开关应用。此装置被安置在
用于
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
SOT- 323封装，专为低功耗表面贴装应用。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•快速吨
rr
， < 3.0纳秒
符合环保标准
•
无铅零件
MIL-STD-19500
•低C
D
， < 2.0 pF的
/228
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
我们声明该产品的材料
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
案例：
灵敏度电平1
湿气
模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
符合RoHS要求。
SOT- 323封装
共阴极
双开关二极管
40/80 V-百毫安
0.040(1.0)
表面贴装
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
标记： LM1MA141WK ： MT LM1MA142WK ： MU
方法2026
最大额定值
(T
A
= 25°C)
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
等级
符号价值
单位
•
安装位置：任意
反向电压
LM1MA141WK
V
R
40
V
dc
•
重量：的逼近0.011克
SOT - 323 / SC - 70
LM1MA142WK
80
峰值反向电压
额定值和电气特性
LM1MA141WK
V
40
V
dc
RM
最大
LM1MA142WK
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
正向电流
单身
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
I
F
对于容性负载，减免电流20 ％
双
最大正向电流
评级
标识代码
最大RMS电压
最大直流阻断电压
单身
双
双
80
100
MADC
150
I
FM120-M
ħ FM130 - MH
MADC
FM150 ， FM160 MH -MH
225
FM140-MH
符号
FM
12
V
RRM
I
FSM(1)
20
V
RMS
V
DC
I
O
14
20
阴极
3
最大的经常
浪涌
反向电压
山顶前进
PEAK
当前
单身
500
30
750
21
30
340
13
14
40
MADC
28
40
15
50
35
50
16
60
42
1
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
18
阳极
80
56
10
100
100
MT
X
70
2
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
标记符号
最大正向平均整流电流
热特性
60
80
类型No.141WK142WK
符号
MT
MU
V
等级
符号
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
功耗
P
D
I
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
结温
T
J
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
储存温度
T
英镑
R
θJA
C
J
T
J
最大
150
150
–55 ~ +150
单位
mW
°C
°C
1.0
的“X”表示一个更小的α位日期
代码。日期代码表示实际月
30
在该部分被制造。
A
A
电气特性
(T
A
= 25°C)
-55到+125
40
120
-55到+150
℃
-
65
到+175
特征
符号
条件
民
最大
单位
反向电压漏电流LM1MA141WK
V
R
=
FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
—
0.1
μAdc
特征
符号
FM120-MH
I
FM130 - MH FM140 -MH
35 V
R
V
F
LM1MA142WK
I
R
0.50
V
R
= 75 V
0.70
TSTG
U
最大正向电压在1.0A DC
@T
额定阻断电压DC
反向击穿电压
A=125℃
LM1MA141WK
注意事项：
2-热阻结点到环境
反向恢复
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
正向电压
V
F
V
R
C
D
t
rr(2)
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
µA
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
=10mA,V
R
=6.0V
R
L
=100Ω,I
rr
=0.1 I
R
LM1MA142WK
时间
—
0.5
—
10
40
80
—
—
0.85
0.1
1.2
—
—
0.9
0.92
V
VDC
VDC
pF
ns
m
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
二极管电容
2.0
3.0
1， T = 1秒
2. t
rr
测试电路
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-1
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
