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HER801 参数 Datasheet PDF下载

HER801图片预览
型号: HER801
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内容描述: 8.0A高效率整流器 - 50V - 1000V [8.0A HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS - 50V-1000V]
分类和应用: 二极管功效
文件页数/大小: 2 页 / 937 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号HER801的Datasheet PDF文件第2页  
8.0A
高效整流二极管 - 50V - 1000V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
TO-220A
SOD-123
威伦
FM120-M
HER801
FM1200-M
HER808
SOD-123H
THRU
THRU
无铅产品
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
型材表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
ULOW
正向电压降
EF网络效率。
低功耗,高
能力
高¡
当前
电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
高¡
可靠性
Guardring过电压保护。
高¡
浪涌电流能力
超高速开关。
高¡
高速开关
平面芯片,金属硅交界处。
硅外延
无铅零件
‧AEC-Q101
合格
符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
湿度敏感度等级1
符合RoHS的产品包装
无铅封装可用
代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
特点
包装外形
TO-220A
.153(3.9)
.146(3.7)
.187(4.82)
0.012 ( 0.3 )典型值。
.148(3.80)
.053(1.4)
.043(1.1)
.270(6.90)
.230(5.80)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.413(10.5)
.374(9.5)
.129(3.3)
.1(2.54)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
.624(15.87)
.578(14.70)
.047MAX.
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
机械数据
(1.2)
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
机械DATE
‧Case : TO- 220A
方法2026
.057(1.45)
0.031 ( 0.8 )典型值。
.046(1.16)
.177(4.50)
.140(3.56)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
.039(1.00)
.023(0.60)
.583(14.8)
.531(12.7)
.028(0.70)
.014(0.36)
极性:由阴极频带指示
=案例
材料:模压塑料。 UL
安装位置:任意
可燃性分类额定值94V- 0
重量:的逼近
(田
‡端子:
无铅电镀
0.011
完成) 。
尺寸以英寸(毫米)
.102(2.60)
.091(2.30)
.126
(3.20)
每MIL -STD- 202方法208
电气特性
最大额定值和
·重量:
25℃
克(大约)
尺寸以英寸(毫米)
在收视率
1.89
环境温度,除非另有规定。
 
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
RMS
I
O
12
20
14
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
HER
 
805
30
40
280
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
安培
最大直流阻断
( TA = 25° C除非另有说明)
20
V
DC
最大额定值
电压
 
参数
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
符号
 
V
RRM
I
FSM
R
θJA
V
RMS
C
V
DC
J
T
J
HER
801
50
35
50
HER
802
100
HER
803
200
140
200
HER
804
300
210
300
HER
806
600
420
600
HER
807
800
560
800
HER
808
1000
700
1000
单位
 
V
V
V
A
安培
℃/W
PF
叠加
峰值反向电压
最高重复
额定负荷( JEDEC的方法)
典型热阻(注2 )
最大RMS电压
工作温度范围
 
400
400
典型结电容
最大直流阻断电压
(注1 )
最大正向平均整流电流
存储温度范围
I
F
TSTG
I
符号
FSM
V
F
-55到+125
100
 
70
 
 
8.0
到+175
-
65
125.0
 
-55到+150
 
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
特征
正弦波叠加在额定负荷
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
A
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
0.50
0.70
0.85
10
0.9
0.92
 
最大正向电压
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
IF = 8A @ 25°C
 
最大DC反向电流@ TC = 25℃
注意事项:
在额定阻断电压DC @ T = 100℃
@T A = 125 ℃
V
F
R
I
I
R
C
j
1.00
1.35
0.5
10
20
75
50
3
-55到+150
-55到+150
1.75
V
uA
mA
pF
毫安
典型结电容(注1)
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
最大反向恢复时间(注2)
 
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
TRR
R
θJC
T
J
T
英镑
75
ns
° C / W
°C
°C
注: 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压
2.Measured与IF = 0.5A , IR = 1A , IRR = 0.25A
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。