威伦
包
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
FM12
FM12
TH
无铅
特点
特点
包装外形
SOD-123H
Guardring过电压
•
无铅封装可用
保护。
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
超高速开关。
硅外延平面芯片，
CODE
硅
•
无卤素产品包装
金属
后缀"H"
结。
•
无铅零件符合
机械数据
环保标准
*案例：模压塑料
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
*环氧：
产品
率阻燃
＆ QUOT ; G＆ QUOT ;
•
RoHS指令
UL 94V -O
包装代号后缀
*铅： MIL -STD- 202E方法208C保证
无卤素产品的包装代号后缀"H"
*安装位置：任意
*重量： 0.33克
1.00(25.4)MIN.
*低功耗，高效率
更好的反向漏电流和耐热性。
*低泄漏
低调的表面
*
•
低正向电压
安装才能申请
优化电路板空间。
*高电流能力
低功耗，高效率。
*
•
高速开关
高电流能力，低正向电压降。
*
•
高浪涌能力
*
•
高可靠性
高浪涌能力。
*
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
0.146(3.7)
0.130(3.3)
.034(0.90)
.028(0.70)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.205(5.21)
.165(4.19)
.117(2.97)
.080(2.00)
1.00(25.4)MIN.
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
最大额定值和电气特性
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
o
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
方法2026
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
最大额定值
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
•
重量：的逼近0.011克
o
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
尺寸以英寸（毫米）
尺寸以英寸
（毫米）
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
50
100
200
300
400
V
RRM
最大额定值和电气特性
V
RMS
35
50
70
100
140
200
210
300
280
400
1.0
30
评级
符号
HER101 HER102 HER103 HER104 HER105 HER105P HER106 HER107 HER108
单位
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培
安培
pF
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
V
DC
最大直流阻断电压
单相
正向平均整流电流
感性负载。
最大
半波， 60赫兹，电阻
I
O
在T
A
= 50
o
C
对于容性负载，减免电流20 ％
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
评级
I
FSM
C
J
典型结电容（注2 ）
标识代码
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -M
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
工作和存储温度范围
o
典型热阻
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
T
J
12
R
θ
J A
/
R
θ
J
C
20
T
J
, T
英镑
13
30
21
1.0
14
20
40
28
最大直流阻断电压
特征
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
14
-55到+ 150
15
50 /
50
35
18
16
60
42
1.0
15
18
80
56
0
10
100
0
C / W
70
伏
uAmps
uAmps
C
115
150
105
150
在1.0A最大正向电压
最大正向平均整流电流
DC
反向电流最大DC
o
额定阻断电压DC牛逼
A
= 25 C
满载最大反向电流
20
符号
V
F
I
R
TRR
30
40
60
80
100
HER101 HER102 HER103 HER104
50
HER105 HER105P HER106 HER107 HER108
单位
1.3
5.0
100
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加
满
额定负荷（ JEDEC
引线长度在T
L
= 55
o
C
平均而言，
on
周期.375 “设计（9.5mm ）
法）
1.0
30
40
120
1.70
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
最大反向恢复时间（注1 ）
50
75
纳秒
典型结电容
和应用4.0伏特的反向电压
C
J
2.测得1 MH
Z
（注1 ）
注： 1。测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
RR
= 0.25A
-55到+125
-55到+150
-
65
到+175
2012-10
TSTG
威伦电子股份有限公司。
0.50
0.70
0.85
0.9
特征
最大正向电压在1.0A DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
V
F
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
