FM120-M
DTC143ZCA
THRU
NPN数字晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
无铅封装可用
•
Guardring过电压保护。
符合RoHS的产品
高速开关。
•
超
包装代号后缀“G”
•
免费的产品包装
金属硅交界处。
卤素
硅外延平面芯片，
代码后缀“H”的
•
平面模具结构
外延
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
可提供互补NPN类型
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
内建的
•
偏置电阻
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
.063(1.60)
.047(1.20)
•
特点
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOT-23
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.122(3.10)
.106(2.70)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
•
绝对最大额定值
2026
法
@ 25
符号
I
C
V
IN
P
d
T
j
T
英镑
参数
•
极性：由阴极频带指示
民
集电极电流
---
•
安装位置：任意
输入电压
-5
功耗
---
•
重量：的逼近0.011克
结温
储存温度
最大
评级
电气特性@ 25
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
.008(0.20)
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
评级
.003(0.08)
符号
参数
民
典型值
最大
单位
标识代码
电压（V
CC
= 5V ，我
O
=100 A)
0.5
12
---
13
V
14
15
16
18
10
115
120
---
V
我（关闭）
输入
---
V
RRM
---
V
我（上）
20
1.3
30
V
40
50
60
80
100
150
200
(V
O
= 0.3V ， I = 5毫安）
最大的经常峰值反向
O
电压
V
O（上）
输出电压（I
O
=5mA,I
i
=0.25mA)
---
---
0.3
V
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
.004(0.10)MAX.
I
I
输入电流（V
I
=5V)
---
---
1.8
mA
最大直流阻断电压
20
0.5
30
A
40
50
60
80
100
150
200
I
O（关）
输出电流（ V
CC
=50V, V
I
=0)
---
V
DC
---
G
I
直流电流增益（V
O
= 5V ，我
O
当前
80
I
O
---
---
最大正向平均整流网络版
=10mA)
1.0
R
1
输入阻抗
3.29
4.7
6.11
K
.020(0.50)
R
2
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
8
I
FSM
10
/R
1
电阻率
12
30
.012(0.30)
跃迁频率
---
250
---
兆赫
f
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
T
(V
O
= 10V ，我
O
= 5毫安中，f = 100MHz时）
40
典型热阻（注2 ）
R
θJA
尺寸以英寸（毫米）
120
典型结电容（注1 ）
C
J
.083(2.10)
.110(2.80)
典型值
最大
单位
尺寸以英寸（毫米）
100
---
mA
---
+30
V
200
---
mW
---
150
---
-55
---
150
和电气特性
.006(0.15)MIN.
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
机械数据
水分动态敏感度等级1
•
环氧树脂
标记： E23
： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
.080(2.04)
.070(1.78)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
工作温度范围
存储温度范围
T
J
TSTG
-55到+125
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
建议焊料
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
焊盘布局
V
F
I
R
.035
.900
.055(1.40)
.035(0.89)
0.50
0.70
.031
.800
0.85
0.9
0.92
0.5
10
.079
2.000
英寸
mm
@T A = 125 ℃
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
.037
.950
.037
.950
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
