FM120-M
DTC114TCA
THRU
NPN数字晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
无铅
•
包
能力，低正向电压降。
HIGH CURRENT
可用的
•
高
为
能力。
符合RoHS的产品
浪涌
包装代号后缀“G”
•
Guardring过电压保护。
卤素
•
免费的产品包装代号后缀为“H”
超高速开关。
环氧符合UL
外延
可燃性等级
•
硅
94 V-0
平面芯片，金属硅交界处。
水分动态灵敏度
部分符合环保标准
•
LEAD -FREE
LEVEL 1
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
没有连接外部输入电阻（见等效电路）
卤素
由薄膜的
代号后缀"H"
偏置电阻
免费的产品包装
电阻具有完整
SOD-123H
威伦
包
无铅机生产线
特点
包装外形
•
特点
SOT-23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
•
•
机械
偏置
隔离，允许负
数据
输入的。他们也有
好处
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
几乎完全消除寄生效应
只有通/断条件需要设置操作，使得
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
装置的设计容易
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
.063(1.60)
.047(1.20)
.122(3.10)
0.071(1.8)
.106(2.70)
0.056(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.080(2.04)
.070(1.78)
.006(0.15)MIN.
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
绝对最大额定值
：任何
•
安装位置
参数
符号
价值
•
重量：的逼近0.011克
集电极 - 基极电压
V
50
CBO
尺寸以英寸（毫米）
单位
V
V
特征
V
mA
集热器
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
耗散
P
C
200
mW
对于容性负载，减免电流20 ％
结温
T
J
150
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
评级
.008(0.20)
存储温度范围
T
英镑
-55~150
标识代码
12
13
14
15
16
18
.003(0.08)
10
115
120
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
最大RMS电压
V
RMS
V
DC
14
20
21
30
28
40
35
42
56
80
70
100
.083(2.10)
.110(2.80)
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
50
最大额定值，电器
发射极 - 基极电压
V
EBO
5
集热器
在25 ℃的环境温度额定值
C
除非另有规定ED 。
电流连续
I
100
105
150
140
200
电气特性
最大直流阻断电压
符号
参数
民
I
典型值
最大单位
最大正向平均整流电流
O
集电极 - 基极击穿电压
---
50
---
V
V
（ BR ） CBO
PEAK
(I
C
= 50uA的，我
E
=0)
正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
集电极 - 发射极击穿电压
.020(0.50)
50
---
---
V
V
（ BR ） CEO
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
(I
C
= 1mA时，我
B
=0)
.012(0.30)
40
典型热阻（注2 ）
R
θJA
发射极 - 基极击穿电压
5
---
---
V
V
（ BR ） EBO
(I
E
结电容（注1 ）
120
典型
= 50uA的，我
C
=0)
C
J
集电极截止电流
尺寸以英寸（毫米）
-55到+150
---
0.5
-55到+125
uA
I
CBO
工作温度范围
T
J
---
(V
CB
= 50V ，我
E
=0)
-
65
到+175
存储温度范围
TSTG
发射极截止电流
I
EBO
---
---
0.5
uA
(V
EB
= 4V ，我
C
=0)
直流电流增益
特征
建议焊料
100
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
300
600
---
h
FE
(V
CE
= 5V ，我
C
=1mA)
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
焊盘布局
0.85
集电极 - 发射极饱和电压
---
---
0.3
V
V
CE （ SAT ）
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
(I
C
= 10毫安，我
B
=1mA)
.031
0.5
I
R
.800
R
1
额定阻断电压DC
输入电阻
7
10
13
K
10
@T A = 125 ℃
跃迁频率
.035
---
250
---
兆赫
f
T
(V
.900
注意事项：
CE
= 10V ，我
E
= -5mA中，f = 100MHz时）
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
.079
2.000
英寸
mm
*标记： 04
.037
.950
.037
.950
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
.055(1.40)
.035(0.89)
50
60
.004(0.10)MAX.
1.0
30
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
