FM120-M
DTA144EE
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
•
Guardring为
可用
无铅封装
过电压保护。
•
产品包装代码
RoHS指令
超高速开关。
后缀“ G”
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无卤素产品
环保标准
•
无铅零件符合
包装代号后缀为“H”
环氧树脂
MIL-STD-19500
V- 0阻燃等级
符合UL 94
/228
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
水分动态敏感度等级1
内建的
无卤素产品的包装代号后缀"H"
逆变器的
偏置电阻使能配置
SOD-123H
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
特点
•
•
•
•
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-523
0.071(1.8)
0.056(1.4)
V
CC
电源电压
---
-50
---
V
最大额定值，电器
10
特征
V
IN
输入电压
-40
---
V
-30
I
O
在收视率
产量
环境温度，除非另有规定。
---
25℃
当前
---
mA
I
C（最大值）
-100
单相半
耗散
P
d
动力
波，60赫兹，感性负载的电阻。
150
---
---
mW
为
j
容性负载，
温度
T
连接点
减免电流20 ％
---
150
---
T
英镑
储存温度
-55
---
150
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
评级
.004(0.10)MIN.
没有连接外部输入电阻
机械数据
•
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
•
案例：
几乎完全消除了寄生效应。
优势
模压塑料， SOD- 123H
,
•
只
•
码头
条件需要的操作进行设置，使得
开/关
：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
装置的设计容易
•
极性：由阴极频带指示
•
最大额定值
绝对
安装位置：任意
@ 25
符号
•
重量：的逼近0.011克
参数
民
典型值
最大
单位
电路
.035(0.90)
.028(0.70)
.067(1.70)
.059(1.50)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.014(0.35)
.010(0.25)
尺寸以英寸（毫米）
.043(1.10)
.035(0.90)
标识代码
最大的经常峰值反向
电气特性
电压
@ 25
V
RRM
V
RMS
民
V
DC
-0.5
---
I
O
---
---
I
FSM
---
68
R
θJA
32.9
C
J
0.8
T
---
J
TSTG
12
20
14
典型值
---
20
---
---
---
---
---
47
1.0
250
13
30
14
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
.069(1.75)
.057(1.45)
10
100
70
115
150
105
150
120
200
140
200
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
.014(0.35)
.006(0.15)
0.85
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
.035(0.90)
.028(0.70)
最大RMS电压
符号
参数
最大直流阻断电压
= -5V ，我
O
=-100A)
V
我（关闭）
输入电压（V
CC
V
我（上）
(V
O
= -0.3V ，我
O
=-2mA)
最大正向平均整流电流
V
O（上）
输出电压（I
O
/I
I
-10mA/-0.5mA
=
I
=
毫秒单一正弦半波
PEAK
I
前锋
输入电流（V
I
-5V)
浪涌电流8.3
I
O（关）
输出电流（ V
CC
=
I
0)
=-50V, V
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
G
I
直流电流增益（V
O
= -5V ，我
O
-5mA)
=
典型热阻（注2 ）
R
1
输入阻抗
典型结电容（注1 ）
R
2
/R
1
电阻率
过渡
范围
工作温度
频率
f
T
(V
O
= -10V ，我
O
= 5毫安中，f = 100MHz时）
存储温度范围
21
28
最大
单位
---
30
V
40
V
-3.0
-0.3
V
-0.18
mA
A
-0.5
---
61.1
K¡
1.2
-55到+125
---
兆赫
.008(0.20)
100
80
.004(0.10)
40
.004(0.10)MAX.
120
-55到+150
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.9
0.92
*标记： 16
I
R
尺寸以英寸（毫米）
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
