FM120-M
DTA143EE
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
•
特点
•
•
机械数据
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
优势
： UL94 -V0额定阻燃
寄生效应。
•
环氧树脂
几乎完全消除了
只有通/断条件需要设置操作，使得
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
装置的设计容易
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
.035(0.90)
.028(0.70)
•
•
•
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
无铅封装可用
•
高浪涌能力。
RoHS指令
•
产品包装代号后缀“G”
Guardring过电压保护。
无卤产品
切换。
•
超高速
包装代号后缀为“H”
环氧树脂
•
符合UL 94 V - 0阻燃等级
结。
硅外延平面芯片，金属硅
水分动态敏感度等级1
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
•
连
包装代号后缀"G"
没有
符合RoHS的产品
外部输入电阻
无卤产品
薄膜电阻具有完整
偏置电阻组成
包装代号后缀"H"
SOT-523
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.067(1.70)
.059(1.50)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.014(0.35)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.010(0.25)
.043(1.10)
.035(0.90)
极性：由阴极指示
绝对
•
最大额定值@ 25
BAND
尺寸以英寸（毫米）
符号
•
安装位置：任意
参数
民
典型值
最大
单位
V
CC
电源电压
---
-50
---
V
•
重量：的逼近0.011克
V
IN
输入电压
-30
---
10
V
-100
I
O
产量
最大额定值和电气特性
当前
---
---
mA
I
C（最大值）
-100
P
d
动力
环境温度，除非另有规定。
---
---
150
mW
在25 ℃评分
耗散
T
j
结温
感性阻性
---
150
---
单相半波，60赫兹，
负载。
T
英镑
储存温度
-55
---
150
对于容性负载，减免电流20 ％
.004(0.10)MIN.
16
60
42
60
1.0
30
18
80
评级
标识代码
最大
特性@ 25
电动
经常峰值反向电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
V
RRM
12
20
13
30
14
40
15
50
35
50
.069(1.75)
.057(1.45)
10
100
100
-55
.014(0.35)
+150
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
-
65
到+175
.006(0.15)
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
*标记： 13
V
F
43
or
I
R
0.50
0.9
0.70
0.85
尺寸以英寸（毫米）
0.5
10
.035(0.90)
.028(0.70)
最大RMS电压
参数
V
符号
民
RMS
典型值
14
最大
21
单位
28
V
我（关闭）
-0.5
DC
---
20
---
30
V
最大
输入电压
电压
隔直
(V
CC
= -5V ，我
O
=-100A)
40
V
---
---
V
V
我（上）
(V
O
= -0.3V ，我
O
=-20mA)
-3.0
最大正向平均整流电流
V
O（上）
输出电压（I
O
/I
I
-10mA/-0.5mA
=
---
I
O
---
-0.3
V
I
I
=
I
-5V)
输入电流（V
---
---
-1.8
mA
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
A
I
O（关）
输出电流（ V
CC
=
I
0)
=-50V, V
---
I
FSM
---
-0.5
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
G
I
直流电流增益（V
O
= -5V ，我
O
-10mA)
=
30
---
---
典型的热
阻力
（注2 ）
R
R
1
输入
阻力
3.29
θJA
4.7
6.11
K¡
R
2
/R
1
结电容（注1 ）
0.8
C
J
1.0
1.2
典型
电阻率
操作
跃迁频率
温度范围
f
T
---
T
J
250
---
-55到+125
兆赫
(V
o
= -10V ，我
o
= 5毫安中，f = 100MHz时）
存储温度范围
TSTG
.008(0.20)
56
70
.004(0.10)
80
115
150
105
150
120
200
140
200
.004(0.10)MAX.
40
120
0.92
@T A = 125 ℃
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
