FM120-M
DTA143ECA
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
无铅封装可用
•
Guardring过电压保护。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
超高速开关。
•
硅外延平面
填料
硅结。
无卤素产品
芯片，金属
代码后缀“H”的
•
无铅零件符合环保标准
水分动态敏感度等级1
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
环氧符合UL
包装代号后缀"G"
•
符合RoHS的产品
94 V - 0阻燃等级
内置的偏置电阻使逆变器的结构
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
特点
•
•
•
•
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOT-23
0.012 （ 0.3 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
电气特性@ 25
最大RMS电压
符号
参数
民
典型值
最大
单位
V
CC
电源电压
---
-50
---
V
最大额定值，电器
10
特征
V
IN
输入电压
-30
---
V
-100
I
O
在收视率
产量
环境温度，除非另有规定。
---
25℃
当前
---
mA
I
C（最大值）
-100
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
P
d
功耗
---
200
---
mW
T
连接点
当前减免
---
150
---
为
j
容性负载，
温度
由20％的
T
英镑
储存温度
-55
150
符号
---
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
评级
.008(0.20)
标识代码
12
13
14
15
16
18
.003(0.08)
10
115
120
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
.006(0.15)MIN.
电路
没有连接外部输入电阻
机械数据
•
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
•
例
几乎完全消除了寄生效应。
好处
：模压塑料， SOD- 123H
,
码头
条件下，需要设置
每MIL -STD- 750
•
只
•
开/关
：镀金端子，焊
操作，使
方法2026
装置的设计容易
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
绝对最大额定值@ 25
•
重量：的逼近0.011克
.063(1.60)
.047(1.20)
.122(3.10)
0.071(1.8)
.106(2.70)
0.056(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.080(2.04)
.070(1.78)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
RMS
14
21
28
35
42
56
80
70
100
.083(2.10)
.110(2.80)
105
150
140
200
40
120
尺寸以英寸（毫米）
-55到+150
.020(0.50)
.012(0.30)
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
建议焊料
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
I
R
*标记：
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
13
0.50
0.70
10
.035
.900
焊盘布局
0.85
.055(1.40)
.035(0.89)
符号
阻断电压DC
参数
民
最大
V
DC
典型值
20
最大
30
单位
40
---
-0.5
V
我（关闭）
---
V
输入电压（V
CC
= -5V ，我
O
=-100A)
最大正向平均整流电流
I
---
O
---
-3.0
V
V
我（上）
(V
O
= -0.3V ，我
O
=-20mA)
V
O（上）
输出电压（I
O
/I
I
-10mA/-0.5mA
=
---
---
-0.3
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
---
I
I
=
I
-5V)
输入电流（V
---
-1.8
mA
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
A
I
O（关）
输出电流（ V
CC
=
I
0)
=-50V, V
---
---
-0.5
典型的热
电流增益
（注2 ）
= -10mA ）
R
θJA
---
G
I
DC
阻力
(V
O
= -5V ，我
O
30
---
R
1
输入阻抗
3.29
J
4.7
6.11
K¡
典型结电容（注1 ）
C
R
2
/R
1
电阻率
0.8
J
1.0
1.2
+125
-55
工作温度范围
T
跃迁频率
f
T
---
---
兆赫
存储温度范围
TSTG
250
(V
o
= -10V ，我
o
= 5毫安中，f = 100MHz时）
50
60
.004(0.10)MAX.
1.0
30
0.9
0.92
.031
0.5
.800
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
.079
2.000
英寸
mm
.037
.950
.037
.950
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
