FM120-M
DTA114TUA
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
特点
•
•
•
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
机械数据
利用几乎完全消除了寄生效应
•
环氧树脂： UL94 -V0评分
对操作进行设置，使得
只有通/断的条件需要
阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
装置的设计容易
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
.010(0.25)
0.024(0.6)
.003(0.08)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置
绝对最大额定值
：任何
•
重量
参数
：的逼近0.011克
价值
符号
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-50
V
最大额定值和电气特性
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-50
V
在收视率
发射极 - 基极电压
25 ℃环境温度，除非另有规定。
V
EBO
-5
V
集电极电流连续
波，60赫兹，感性负载的电阻。
I
C
-100
mA
单相半
集电极耗散
对于容性负载，减免电流
P
C
20%
by
200
mW
.056(1.40)
结温范围
评级
T
J
.047(1.20)
-55~150
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
-55~150
V
RRM
标识代码
存储温度范围
T
英镑
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
电气特性
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
16
60
.054(1.35)
.045(1.15)
.087(2.20)
.070(1.80)
尺寸以英寸（毫米）
18
80
56
80
10
100
70
100
.096(2.45)
.078(2.00)
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
无铅
•
包可
•
高电流能力，低正向电压降。
符合RoHS的产品
浪涌
包装代号后缀“G”
•
高
为
能力。
Guardring为
包装代号后缀为“H”
卤素
•
免费产品
过电压保护。
•
超高速开关。
等级
环氧符合UL 94 V- 0阻燃
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
水分动态敏感度等级1
•
无铅零件符合环保标准
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
无需连接外部输入
代号后缀"G"
等效电路）
•
符合RoHS的产品包装
电阻（见
偏置电阻
免费产品
薄膜电阻具有完整
卤素
包括
包装代号后缀"H"
SOT-323
.004(0.10)MIN.
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
115
150
105
150
.043(1.10)
.032(0.80)
120
200
140
200
V
RMS
V
DC
I
O
典型值
I
FSM
42
.004(0.10)MAX.
50
60
1.0
30
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
参数
民
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
集电极 - 基极击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
最大
单位
*标记： 94
-50
---
---
V
(I
C
= -50uA ，I = 0）
40
典型的热
E
电阻（注2 ）
R
θJA
集电极 - 发射极击穿电压
-50
---
---
V
V
（ BR ） CEO
典型结电容（注1 ）
120
C
J
尺寸以英寸（毫米）
(I
C
= -1mA ，我
B
=0)
-55到+125
-55到+150
工作温度范围
电压
T
J
发射极 - 基极击穿
-5
---
---
V
V
（ BR ） EBO
(I
E
= -50uA ，我
C
=0)
-
65
到+175
存储温度范围
TSTG
集电极截止电流
建议焊料
---
---
-0.5
uA
I
CBO
(V
CB
= -50V ，我
E
=0)
FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
焊盘布局
发射极截止电流
---
---
-0.5
uA
I
EBO
(V
EB
= -4V ，我
C
=0)
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
0.70
mm
直流电流增益
0.5
100
250
600
---
h
FE
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
(V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA)
0.90
10
@T
额定阻断电压DC
集电极 - 发射极饱和电压
A=125℃
---
---
-0.3
V
V
CE （ SAT ）
(I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA)
13
K
7
10
1.90
R
1
注意事项：
电阻器
输入
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
跃迁频率
---
250
---
兆赫
f
T
(V
CE
= -10V ，我
C
=-5mA,
结到
2-热阻
f=100MHz)
环境
.016(0.40)
.008(0.20)
0.65
0.65
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
