FM120-M
DTA114TE
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
高电流能力，
无铅
•
包可
低正向压降。
•
高浪涌能力。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
Guardring过电压保护。
卤素
•
免费的产品包装代号后缀为“H”
超高速开关。
•
硅
94 V - 0阻燃等级
环氧符合UL
外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
水分动态敏感度等级1
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
没有连接外部输入电阻（见等效电路）
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
包
无铅机生产线
特点
包装外形
特点
•
SOT-523
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
机械数据
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
•
几乎完全消除寄生效应
好处
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
只有
•
例
条件需要的操作进行设置，使得
开/关
：模压塑料， SOD- 123H
装置的设计容易
：镀金端子，焊每MIL -STD- 750 ，
•
码头
方法2026
.035(0.90)
.028(0.70)
•
•
0.056(1.4)
.067(1.70)
.059(1.50)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.014(0.35)
.010(0.25)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
.043(1.10)
.035(0.90)
尺寸以英寸（毫米）
集电极 - 基极电压
V
CBO
-50
最大额定值，电器
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-50
发射极 - 基极电压
V
除非另有规定ED 。
-5
在25 ℃的环境温度额定值
EBO
集热器
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
电流连续
I
C
-100
集热器
对于容性负载，减免电流
P
20%
耗散
C
V
特征
V
V
mA
mW
150
结温范围
评级
存储
标识代码
范围
温度
最大RMS电压
最大直流阻断电压
电气特性
T
J
T
英镑
-55~150
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
符号
-55~150
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
典型值
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
18
.008(0.20)
80
.069(1.75)
.057(1.45)
10
100
70
100
价值
单位
.004(0.10)MIN.
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置
绝对最大额定值
：任何
•
重量：
0.011克
参数
近似
符号
115
150
105
150
120
200
140
200
.004(0.10)
56
80
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
符号
叠加在额定
击穿电压
集电极 - 基
负荷（ JEDEC的方法）
-50
---
---
V
（ BR ） CBO
V
（I = -50uA ，我
E
=0)
40
典型
C
热阻（注2 ）
R
θJA
集电极 - 发射极击穿电压
V
120
.014(0.35)
-50
---
V
（ BR ） CEO
典型结电容（注1 ）
C
---
J
(I
C
= -1mA ，我
B
=0)
-55到+125
-55到+150
工作温度范围
电压
T
J
发射极 - 基极击穿
.006(0.15)
-5
---
---
V
V
（ BR ） EBO
(I
E
温度
-
65
到+175
存储
= -50uA ，我
C
=0)
范围
TSTG
集电极截止电流
---
---
-0.5
uA
I
CBO
(V
CB
= -50V ，我
E
=0)
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
发射极截止电流
尺寸以英寸（毫米）
---
---
-0.5
uA
0.50
I
EBO
最大正向电压在1.0A DC
0.9
0.92
V
F
0.70
0.85
(V
EB
= -4V ，我
C
=0)
直流电流增益
0.5
100
600
---
h
FE
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
250
R
(V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA)
10
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
集电极 - 发射极饱和电压
---
---
-0.3
V
V
CE （ SAT ）
(I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA)
注意事项：
R
1
输入电阻
13
K
7
10
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
跃迁频率
---
250
---
兆赫
f
T
(V
CE
阻力
f=100MHz)
2-热
= -10V ，我
C
=-5mA,
结到环境
参数
民
最大
单位
1.0
.004(0.10)MAX.
30
*标记： 94
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
.035(0.90)
.028(0.70)
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
