FM120-M
DTA114EE
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
设计,卓越的
•
批量处理
基本特征
功耗报价
威伦
O
特点
典型特征
概要
包
-10
SOD-123
包
无铅全国生产
-100
开关特性
•
低调的表面安装,以便应用程序
-30
更好的反向漏电流和耐热性。
V =-0.3V
SOD-123H
优化电路板空间。
V
我(上)
-10
输入电压
输出电流
-3
-1
•
低功耗,高效率。
•
高电流能力,低正向电压降。
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
T =25
℃
•
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
标准
•
无铅零件符合环保
=100
℃
T
a
-3
(V)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
(MA )
I
O
-1
-0.3
T
a
=100
℃
T
a
=25
℃
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
-0.3
a
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
-0.1
机械数据
-0.03
•
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
-0.1
-30
-0.3
-3
•
-0.1
案例:模压塑料, SOD- 123H
-1
-10
-100
,
产量
•
端子:镀
电流I
每MIL -STD- 750可焊性
终端,
(MA )
O
-0.01
-0.0
V
CC
=-5V
-0.4
0.031 ( 0.8 )典型值。
-0.8
-1.2
-1.6
0.040(1.0)
0.024(0.6)
-2.0
0.031 ( 0.8 )典型值。
输入电压
V
我(关闭)
(V)
方法2026
1000
•
极性:由阴极频带指示
G
I
——
•
安装位置:任意
I
O
•
重量:的逼近0.011克
尺寸以英寸(毫米)
V
O
=-5V
-1000
V
O(上)
——
I
O
I
O
/I
I
=20
300
(毫伏)
最大额定值和电气特性
-300
30
评级
标识代码
T
a
=25
℃
-100
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
最大的经常峰值反向电压
10
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
f=1MHz
T
a
=25
℃
12
20
14
20
输出电压
直流电流增益
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
100
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
T
a
=100
℃
G
I
V
O(上)
T
a
=100
℃
13
30
21
-30
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
-10
30
18
80
56
80
T
a
=25
℃
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大RMS电压
最大直流阻断电压
3
最大正向平均整流电流
1
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
-30
-0.3
-3
-0.1
-1
-10
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
I
输出电流
-100
-10
-30
-100
-1
-3
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
C
O
12
存储温度范围
O
(MA )
输出电流
-55到+125
400
40
120
P
D
I
O
(MA )
-55到+150
——
V
R
—— T
a
-
65
到+175
(PF )
( mW)的
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
C
O
8
10
特征
350
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
300
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
P
D
功耗
I
R
250
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
6
输出电容
200
2-热阻结点到环境
4
150
DTA114EE
100
2
50
0
0
4
8
12
16
20
0
0
25
50
75
100
a
125
150
2012-06
反向偏置电压
V
R
(V)
环境温度
T (
℃
威伦
)
电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。