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DB151 参数 Datasheet PDF下载

DB151图片预览
型号: DB151
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内容描述: 电压范围50到1000伏特电流1.5安培 [VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.5 Ampere]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 565 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号DB151的Datasheet PDF文件第2页  
威伦
硅桥式整流器
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
DB151
THRU
FM1
DB157
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
单相玻璃钝化
SOD-123
包装外形
电压
特点
范围50到1000伏特电流1.5安培
SOD-123H
FM12
TH
铅FRE
低调的表面安装,以便应用程序
*适合自动化插入
*
*
*
*
*
*
*
优化电路板空间。
浪涌过载额定值 - 80安培峰值
印刷电路板
理想
功率损耗,效率高。
可靠的低成本
能力,低正向电压降。
HIGH CURRENT
建设利用模压
玻璃钝化装置
高浪涌能力。
极性符号上成型体
Guardring过电压保护。
安装位置:任意
超高速开关。
重量: 1.0克
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值
DB-1
0.071(1.8)
0.056(1.4)
*
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无铅零件符合环保
无卤素产品的包装代号后缀"H"
标准
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
* UL
卤素
公认的组件目录,
后缀"H"
上市
免费的产品包装代码
文件# E195711
*环氧:设备具有UL可燃性分类94V -O
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
机械数据
~
.346(8.8)
.307(7.8)
~
.255(6.50)
.245(6.20)
.350(8.90)
.300(7.60)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀
电气特性
最大额定值和
终端,每MIL -STD- 750
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
方法2026
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
o
0.031 ( 0.8 )典型值。
.135(3.40)
.102(2.60)
.165(4.80)
.155(3.90)
.060
0.031 ( 0.8 )泰
.020
(0.50)
分钟。
.205(5.20)
.195(5.00)
极性:由阴极频带指示
对于容性负载,减免电流20 % 。
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
最大额定值
(在T
A
= 25
o
C除非另有说明)
评级
尺寸以英寸(毫米)
(1.50)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
符号
DB151
50
35
50
DB152
100
70
100
DB153
200
140
200
DB154
400
280
400
1.5
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
V
RRM
最大的经常峰值反向电压
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
V
RMS
最大RMS桥输入电压
对于容性负载,减免电流20 %
最大直流阻断电压
DB155
600
420
600
DB156
800
560
800
DB157
1000
700
1000
单位
标识代码
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
评级
o
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH FM1150
I
O
V
DC
最大的经常峰值
( JEDEC的方法)
反向电压
叠加在额定负荷
最大RMS
存储温度范围
电压
操作和
最大直流阻断电压
 
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
V
RRM
V
DC
I
FSM
12
20
20
DB151
13
30
21
30
DB152
14
40
28
40
DB153
15
50
50
35
50
16
60
42
60
DB155
18
80
56
80
DB157
安培
10
安培
100
0
115
150
V
RMS
T
J,
T
英镑
14
-65到+ 150
C
70
100
105
150
最大正向平均整流网络版
25
o
C除非另有说明)
I
O
电气特性
(在T
A
=
当前
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
每桥最大正向电压降
元素在1.5A DC
特征
 
符号
I
FSM
V
F
I
R
DB154
1.1
1.0
 
DB156
30
40
120
单位
典型热阻(注2 )
每桥最大正向电压降
工作温度范围
存储温度范围
典型结电容(注1 )
每个元素阻断电压DC
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125
o
C
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
-55到+125
10
0.5
 
uAmps
 
-
65
到+175
 
毫安
-55到+150
 
2012.10
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-
威伦电子股份有限公司。
0.50
0.70
0.85
最大正向电压在1.0A DC
V
F
0.9