SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
晶体管（ NPN ）
•
低功耗，高效率。
特点
高电流能力，低正向电压降。
•
动力
•
高浪涌能力。
耗散
•
Guardring过电压保护。
无铅封装可用
•
超高速开关。
•
硅
包装代号后缀“G”
符合RoHS的产品
外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
D882
THRU
包
FM1200-M
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0
最大额定值（T
额定阻燃
a
= 25℃除非另有说明）
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
符号
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
参数
价值
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
方法2026
集电极 - 基极电压
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
40
30
6
3
V
V
V
A
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
集电极 - 发射极电压
•
安装位置：任意
发射极 - 基极电压
•
重量：的逼近0.011克
集电极电流 - 连续
最大额定值
特征
集电极耗散功率
电气
W
0.5
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
结温
150
℃
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
储存温度
-55~150
℃
T
英镑
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
电气特性（T
a
= 25° ，除非另有规定）
最大RMS电压
V
RRM
V
RMS
I
O
12
20
14
13
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
10
100
70
115
150
105
120
200
140
200
最大直流阻断电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
集电极截止电流
最大正向平均整流电流
参数
V
符号
DC
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
CE
= 30V ，我
B
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
0.50
-55到+125
20
30
民
40
30
6
典型值
80
最大
100
单位
V
V
150
集电极 - 发射极击穿电压
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
V
（ BR ） CBO
I
FSM
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
R
θJA
I
CBO
C
J
I
首席执行官
T
J
I
EBO
TSTG
典型
截止电流
集热器
结电容（注1 ）
存储温度范围
40
120
V
µA
µA
µA
0.9
0.92
1
-
65
到+175
-55到+150
10
1
发射极截止电流
DC
最大正向电压在1.0A DC
电流增益
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
h
FE(1)
V
CE
= 2V ，我
C
= 1A
60
400
V
集电极 - 发射极饱和电压
A=125℃
CE （ SAT ）
@T
额定阻断电压DC
基射极饱和电压
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
h
FE(2)
V
F
I
R
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 0.2 A
I
C
= 2A ，我
B
= 0.2 A
V
CE
= 5V ， IC = 0.1A
F = 10MHz时
32
0.70
0.85
0.5
10
0.5
1.5
V
V
兆赫
注意事项：
V
BE （ SAT ）
f
T
跃迁频率
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
50
分类h及
FE(1)
秩
范围
2012-06
R
60-120
O
100-200
Y
160-320
GR
200-400
威伦电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
