威伦
功率MOSFET
130
势垒整流器
伏
1.0A表面贴装肖特基
毫安， 50
-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
表面贴装MOSFET的降低功耗
这些微型
•
Guardring过电压保护。
器件理想用于小功率应用
节约能源，这使得
•
超高速
电路。典型的应用是dc-dc变换器，负载
管理
切换。
•
硅外延平面
管理
结。
和电池供电
开关，电源
芯片，金属硅
手提
•
无铅零件符合环保标准
产品如
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
计算机，打印机，蜂窝电话和无绳电话。
•
能源
包装
•
符合RoHS的产品
ê FFI cient
代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
包装节省电路板空间
•
微型SOT- 323表面贴装
FM120-M
THRU
BSS84WT1
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
P沟道SOT- 323
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
3
0.056(1.4)
1
2
0.040(1.0)
SOT -323
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
后缀“ G”
符合RoHS的产品包装代码
•
案例：模压
免费的产品包装代号后缀为“H”
卤素
塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
机械数据
可用
•
无铅封装
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
热特性
•
安装位置：任意
特征
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
标记图
符号
最大
单位
225
mW
1.8
毫瓦/°C的
特征
556
° C / W
器件总功耗FR- 5局
P
D
（注3 ）T
A
= 25°C
最大额定值，电器
减免上述25℃
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
热阻，结
感性负载。
R
θJA
单相半波，60赫兹，电阻式
到环境
PD
P
D
300
mW
矾土
评级
基板， （注4 ） TA = 25°C
毫瓦/°C的
FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140-MH
单位
减免上述25℃
2.4
PD =器件代码
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
M =月守则
热阻，
电压
到环境
V
RRM
R
θJA
20
连接点
417
° C / W
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向
伏
结温和存储温度
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
对于容性负载，减免电流20 ％
器件总功耗
M
V
RMS
T
J,
T
英镑
14
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
20
–o 5
21
5〜
+150
30
28
°C
40
35
50
42
60
56
80
70
100
105
150
140
200
伏
伏
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
1.0
订购信息
设备
包
航运
30
安培
℃/W
PF
℃
℃
典型热阻（注2 ）
C
J
-55
最大额定值
(T
J
= 25
°
C除非
T
J
另有说明）
+125
工作温度范围
典型结电容（注1 ）
存储温度范围
TSTG
BSS84WT1
40
120
SOT-323
3000/Tape&Reel
-55到+150
-
65
到+175
等级
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
特征
漏极至源极电压
符号
价值
单位
3漏
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
@T A = 125 ℃
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
≤
10
µs)
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
符号
V
DSS
50
V
dc
伏
0.9
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
I
R
V
GS
I
D
±
20
130
520
225
V
dc
mA
0.5
10
1
门
-
毫安
注意事项：
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJA
T
L
1测得1
总功耗
电压
= 25°C
MHz和应用反向
@ T
A
4.0 VDC 。
mW
°C
° C / W
°C
2
来源
2-热阻
和存储温度
操作
结到环境
范围
- 55
150
556
260
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
的目的，对10秒
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
