功率MOSFET 200毫安， 50伏
特点
威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
FM120-M
BSS138WT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
典型的应用是DC-DC转换器，电源管理
•
Guardring过电压保护。
超高速开关。
•
便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，
PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
使得它非常适合低
低阈值电压（V
GS （ TH）
: 0.5V...1.5V)
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
电压应用
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
微型SOT- 323表面贴装封装可节省电路板空间
无卤素产品的包装代号后缀"H"
N沟道SOT- 323
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
3
•
1
2
•
环氧树脂： UL94 -V0评分
包装代号后缀“G”
符合RoHS的产品
阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
•
机械数据
可用的
•
无铅封装
SOT–323
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
订购信息
•
重量：的逼近0.011克
设备
记号
航运
BSS138WT1
J1
3000磁带&卷轴
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
尺寸以英寸（毫米）
漏
3
最大额定值和电气特性
1
门
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
RMS
12
20
14
13
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
115
100
2
来源
150
70
105
100
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
最大
最大
电压
隔直
收视率（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
20
30
V
DC
最大正向平均整流电流
I
O
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
等级
漏极至源极电压
符号
I
FSM
V
DSS
价值
50
±
20
单位
VDC
VDC
安培
℃/W
PF
℃
℃
栅极 - 源极电压
典型热阻（注2 ）
- 连续
典型结电容（注1 ）
漏电流
R
θJA
V
GS
C
J
T
J
- 连续@
工作温度范围
TA = 25°C
特征
工作和存储温度
最大正向电压在1.0A DC
范围
额定阻断电压DC
总功率耗散@ TA = 25℃
P
D
T
J,
T
英镑
V
F
150
- 55
150
556
260
mW
°C
0.50
0.70
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
M
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
µs)
存储温度范围
I
TSTG
DM
I
D
mA
-55
200
+125
800
标记图
40
120
-
65
到+175
-55到+150
J1
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
热电阻 - 结到环境
I
R
R
θJA
最大无铅焊接温度的
的目的，对10秒
@T A = 125 ℃
° C / W
°C
注意事项：
T
L
0.85
0.5
J1 =器件代码
M =月守则
10
0.9
0.92
伏
毫安
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
