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BCX53 参数 Datasheet PDF下载

BCX53图片预览
型号: BCX53
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内容描述: SOT- 89塑封装晶体管 [SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 501 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反
晶体管( PNP )
漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
威伦
BCX53
FM120-M
THRU
FM1200-M
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
特点
低功耗,高效率。
HIGH CURRENT
可用
无铅封装
能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
RoHS指令
产品包装代号后缀“G”
Guardring过电压保护。
无卤产品
切换。
超高速
包装代号后缀为“H”
低电压
外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
HIGH CURRENT
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
应用
中功率一般用途
机械数据
司机
阶段
UL94 -V0额定阻燃
环氧树脂:
音频放大器
标记: BCX53 : AH , BCX53-10 : AK , BCX53-16 : AL
案例:模压塑料, SOD- 123H
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
方法2026
,
优化电路板空间。
SOT-89
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.基地
2.收集
3.辐射源
0.040(1.0)
0.024(0.6)
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
符号
极性:由阴极频带指示
参数
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
价值
-100
-80
-5
-1
500
250
12
20
14
13
30
21
14
40
28
单位
V
V
V
尺寸以英寸(毫米)
安装位置:任意
集电极 - 基极电压
重量:的逼近0.011克
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
I
C
在收视率
集电极电流
25 ℃环境温度,除非另有规定。
从结点到环境的热阻
 
R
对于容性负载,减免电流20 %
θJA
T
英镑
标识代码
最大额定值和电气特性
A
mW
℃/W
50
15
16
60
18
80
56
80
1.0
 
典型值
30
40
120
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
集电极耗散功率
P
C
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
T
j
评级
结温
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
150
最大的经常峰值反向电压
储存温度
V
RRM
V
RMS
I
O
-55~+150
除非另有规定编)
50
电气特性(T
a
=25℃
V
DC
最大直流阻断电压
20
30
40
最大正向平均整流电流
 
最大RMS电压
35
42
60
参数
集电极 - 基极击穿电压
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
1)
典型结电容(注
工作温度范围
集电极截止电流
典型热阻(注2 )
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
符号
 
牛逼EST
条件
-100
-80
-5
最大
单位
V
V
V
V
( BR ) CBO
I
FSM
I
C
=-100µA,I
E
=0
 
V
( BR ) CEO *
 
V
( BR ) EBO
C
J
I
E
=-100µA,I
C
=0
I
CBO
I
EBO
TSTG
R
θJA
I
C
=-10mA,I
B
=0
 
 
 
-0.1
0.85
250
发射极截止电流
存储温度范围
T
J
V
CB
=-30V,I
-55到+125
E
=0
 
-
65
到+175
-55
-0.1
+150
µA
 
V
EB
=-5V,I
C
=0
0.70
63
µA
0.9
0.92
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
直流电流增益
额定阻断电压DC
h
FE(1)*
V
FM120-MH
FM130-MH
63
符号
CE
= -2V ,我
C
=-5mA
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
0.50
h
FE(2)*
V
F
V
CE
= -2V ,我
C
=-150mA
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
集电极 - 发射极饱和电压
 
注意事项:
基地发射极电压
@T A = 125 ℃
h
FE(3)*
I
R
V
CE
= -2V ,我
C
=-0.5A
I
C
=-0.5A,I
B
=-50mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-0.5A
V
CE
=-5V,I
C
= -10mA , F = 100MHz的
V
BE *
f
T
40
0.5
10
V
CE (SAT) *
-0.5
-1
V
V
兆赫
跃迁频率
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
50
 
分类
h
FE(2)
范围
BCX53
63–250
BCX53-10
63–160
BCX53-16
100–250
 
*脉冲测试
2012-06
威伦电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。