FM120-M
BCW69LT1
THRU
BCW70LT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
•
低调的表面安装，以便应用程序
SOD-123H
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
PNP
更好的反向漏电流和耐热性。
硅
Featrues
优化电路板空间。
我们声明该产品的材料
•
低功耗，高效率。
符合RoHS要求。
•
高电流能力，低正向电压降。
无铅封装
能力。
•
高浪涌
可用
1
•
产品包装代号后缀“G”
RoHS指令
Guardring过电压保护。
BASE
•
超高速
包装CODE
无卤素产品
切换。
后缀“H”的
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
最大额定值
3
集热器
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
2
辐射源
机械数据
等级
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
– 45
VDC
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
–
MIL -STD- 750 ，
VDC
发射极 - 基极电压
终端，每焊
5.0
V
EBO
•
端子：镀
方法2026
连续集电极电流 -
符号
价值
单位
0.031 （ 0.8 ）典型值。
SOT–23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
I
C
– 100
MADC
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
热特性
•
重量：的逼近0.011克
特征
符号
最大
单位
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
最大额定值和电气特性
P
D
225
mW
T
A
= 25°C
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
1.8
毫瓦/°C的
减免上述25℃
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
热阻，结到环境
R
θJA
556
° C / W
对于容性负载，减免电流20 ％
器件总功耗
300
mW
P
D
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
评级
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
2.4
标识代码
25℃以上
12
13
14
毫瓦/°C的
15
16
18
10
115
120
减额
20
30
40
° C / W
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
R
热阻，结到环境
417
最大RMS
和存储温度
连接点
电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
器件标识
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
BCW69LT1 = H1 ; BCW70LT1 = H2
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
V
RMS
J
, T
英镑
14
T
V
DC
I
O
I
FSM
20
θJA
21
-55到+150
28
30
40
°C
35
50
42
60
1.0
30
56
80
70
100
105
150
140
200
单位
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
典型结电容（注1 ）
特征
开关特性
存储温度范围
符号
-55到+125
V
（ BR ） CEO
民
40
120
最大
-55到+150
-
65
到+175
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= -2.0 MADC ，我
B
= 0 )
– 45
—
VDC
注意事项：
特征
符号
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= –100
μAdc ，
V
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
（ BR ） CES
– 50
—
VDC
EB
= 0 )
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
V
（ BR ） EBO
– 5.0
—
VDC
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
I
首席执行官
10
@T A = 125 ℃
评级
收藏家Cuto FF电流
阻断电压DC
(V
CE
= -20伏直流，我
E
= 0 )
—
– 100
NADC
CE
1测得1 MHz和
E
应用的
A
反向的4.0 VDC电压。
(V
= -20伏， I = 0时，T = 100℃）
—
– 10
μAdc
2-热阻结点到环境
1， FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
