FM120-M
BCW68GLT1
THRU
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
威伦
无铅机生产线
PNP
更好的反向漏电流和耐热性。
硅
•
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G" ，
优化电路板空间。
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
•
低调的表面安装，以便应用程序
.
SOD-123H
特点
包装外形
卤素
功耗，高
包装代号后缀"H"
•
低
免费产品
EF网络效率。
•
高
0.008g
重量：
电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
设备
记号
航运
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
3000/Tape&Reel
BCW68GLT1
DG
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
订购信息
保护。
•
Guardring过电压
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
最大额定值
机械数据
SOT–23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
等级
符号
单位
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
价值
– 45
VDC
集电极 - 发射极电压
SOD-123H
V
首席执行官
•
案例：模压塑料，
,
集电极 - 基
：镀金端子，
V
CBO
– 60
VDC
•
码头
电压
每MIL -STD- 750可焊性
法
发射极 - 基极电压
2026
V
EBO
•
极性：由阴极频带指示
连续集电极电流 -
I
C
•
安装位置：任意
– 5.0
– 800
VDC
MADC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
3
0.031 （ 0.8 ）典型值。
集热器
1
尺寸以英寸（毫米）
BASE
2
辐射源
•
重量： 0.011的逼近
热特性
克
特征
符号
最大
单位
最大额定值和电气特性
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
P
D
225
mW
T
A
= 25°C
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
1.8
毫瓦/°C的
减免上述25℃
对于容性负载，减免电流20 ％
热阻，结到环境
R
θJA
556
° C / W
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
评级
器件总功耗
300
P
D
12
标识代码
基片， （2）T = 25 ℃下
13
14
mW
15
16
18
10
115
120
矾土
A
2.4
毫瓦/°C的
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
减免上述25℃
21
28
° C / W
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
R
θJA
14
热阻，结到环境
417
最大直流阻断电压
20
30
60
80
100
150
200
结温和存储温度
-55到+150
40
°C
50
V
DC
T
J
, T
英镑
最大正向平均整流电流
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
O
I
FSM
1.0
30
最大
40
120
—
单位
开关特性
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
V
（ BR ） CEO
-55到+125
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
VDC
典型结电容（注1 ）
电压（I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0 )
C
J
集电极 - 发射极击穿
TSTG
– 45
– 60
– 5.0
—
—
-55到+150
T
J
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= –10
μAdc ，
V
EB
= 0 )
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
特征
V
F
@T A = 125 ℃
—
VDC
-
65
到+175
—
—
VDC
I
CES
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
0.50
最大正向
VDC ，我
E
=
at
)
(V
CE
= –45
电压
0
1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
—
—
0.70
—
(V
CE
= -45伏直流，我
B
= 0 , T
A
= 150°C)
I
R
—
—
发射极截止电流（V
EB
= - 4.0伏，我
C
= 0)
I
EBO
—
– 20
0.5
– 10
10
– 20
0.85
NADC
0.9
0.92
μAdc
NADC
注意事项：
5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
FR- 1
1测在1 MHz
x
和应用4.0伏的反向电压。
2.氧化铝= 0.4 0.3× 99.5 ％氧化铝0.024英寸。
2-热阻结点到环境
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
