威伦
通用晶体管
特点
BC
包装外形
SOD-123H
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
FM120-M
LT1
THRU
FM1200-M
无铅全国生产
NPN硅
设计，出色的功耗报价
•
批量处理
更好
Featrues
反向漏电流和耐热性。
我们声明该产品的材料
优化电路板空间。
符合
损失，效率很高。
•
低功耗
RoHS要求。
•
低调的表面安装，以便应用程序
无铅封装可用
•
高电流能力，低正向电压降。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
高浪涌能力。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
Guardring过电压保护。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
•
超
评级
最大
高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
等级
符号
价值
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
32
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
无卤产品
集电极 - 基极电压
包装
CBO
后缀"H"
V
CODE
60
0.071(1.8)
0.056(1.4)
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
SOT–23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
ry
,
0.031 （ 0.8 ）典型值。
发射极 - 基极电压
V
EBO
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
连续集电极电流 -
I
C
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
机械数据
5.0
800
3
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
热特性
方法2026
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
符号
P
D
INA
225
1.8
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
V
DC
14
21
30
28
40
35
50
20
I
FSM
特征
•
极性：由阴极频带指示
器件总功耗
:
FR- 5局， （ 1 ）
•
安装位置任意
T
A
= 25°C
•
重量：的逼近0.011克
减免上述25℃
最大
单位
1
BASE
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
最大RMS电压
器件标识
Pr
el
热阻，结到环境
R
θJA
556
° C / W
最大额定值和电气特性
器件总功耗
300
mW
P
D
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
2.4
毫瓦/°C的
减免上述25℃
对于容性负载，减免电流20 ％
热阻，结到环境
R
θJA
417
° C / W
FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
符号
,
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140-MH
°C
评级
结温和存储温度
T
J
T
英镑
-55到+150
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
im
42
60
1.0
30
40
120
56
80
70
100
105
150
140
200
BCW65ALT1
电压
最大直流阻断
- EA
最大正向平均整流电流
（T = 25°C
I
除非另有说明）。
O
电气特性
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
特征
符号
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
单位
民
典型值
最大
典型热阻（注2 ）
典型
集电极 - 发射极击穿电压
结电容（注1 ）
操作
= 10mAdc ，我
B
范围
(I
C
温度
= 0 )
存储温度范围
开关特性
R
θJA
C
J
V
（ BR ） CEO
T
J
TSTG
32
VDC
-55到+125
—
—
-55到+150
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10
μAdc ，
V
EB
= 0 )
特征
V
（ BR ） CES
V
F
（ BR ） EBO
60
0.50
—
-
65
到+175
—
VDC
0.70
—
0.85
0.5
10
0.9
0.92
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
最大正向电压在1.0A
电压
发射极 - 基极击穿
DC
额定阻断电压DC
V
最大
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
(I
E
在@T A = 25 ℃平均反向电流
收藏家Cuto FF电流
@T A = 125 ℃
I
R
5.0
—
VDC
I
CES
—
—
—
—
—
—
20
20
20
注意事项：
CE
= 32 VDC ，我
E
= 0 )
(V
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
NADC
μAdc
NADC
2-热阻结点到环境
(V
CE
= 32 VDC ，我
E
= 0 , T
A
= 150°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
I
EBO
1， FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
