SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
晶体管（ NPN ）
特点
•
批量
特点
工艺设计，出色的功耗报价
威伦
FM120-M
BC868
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
SOT-89
包装外形
SOD-123H
更好的反向漏电流和耐热性。
高
低调的表面安装，以便应用程序
•
当前
优化电路板空间。
低
•
电压
损失，效率很高。
低功耗
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
最大额定值
过电压保护。
•
Guardring为
(T
a
=25
℃
除非另有说明）
•
超高速开关。
•
符号
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
单位
参数
价值
•
无铅零件符合环保标准
32
V
V
CBO
集电极 - 基极电压
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
V
V
首席执行官
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
20
集电极 - 发射极电压
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1.基地
2.收集
3.辐射源
0.071(1.8)
0.056(1.4)
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基
数据
机械
电压
5
V
储存温度
-55~150
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
•
重量：的逼近0.011克
最大额定值和电气特性
发射极 - 基极击穿电压
标识代码
Pr
el
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
在25 ℃的环境温度额定值
V
（ BR ） CBO
I
C
=100μA,I
E
=0
集电极 - 基极击穿电压
除非另有规定ED 。
im
I
C
=1mA,I
B
=0
12
20
14
参数
符号
INA
测试条件
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=25V,I
E
=0
21
13
30
14
40
28
40
15
50
35
50
20
30
V
EB
=5V,I
C
=0
I
O
方法2026
℃
ry
民
32
20
16
60
42
60
1.0
85
30
40
120
50
集电极电流 - 连续
A
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
1
集电极耗散功率
500
mW
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031(0.8)
“H”
卤素
0.031(0.8)
产品包装代号后缀
典型值。
免费
典型值。
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
结温
150
℃
无铅封装可用
0.040(1.0)
0.024(0.6)
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
典型值
最大
单位
V
V
V
（ BR ） EBO
I
CBO
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
5
集电极截止电流
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
18
80
56
80
10
100
70
0.1
115
150
105
V
μA
120
200
140
200
V
V
最大直流阻断电压
发射极截止电流
V
I
EBO
DC
100
0.1
150
μA
V
最大正向平均整流电流
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
h
FE(1)
直流电流增益
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
V
CE
=1V,I
C
=500mA
V
CE
=1V,I
C
=1A
375
A
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
h
FE(2)
R
θJA
T
J
60
C
h
FE(3)
J
TSTG
V
CE （ SAT ）
V
CE
=10V,I
C
-55到+125
=5mA
-55到+150
℃
存储温度范围
集电极 - 发射极饱和电压
特征
最大正向电压
基射极电压
在1.0A DC
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
I
C
=1A,I
B
=100mA
0.50
0.70
-
65
到+175
0.5
0.85
0.9
V
0.92
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
BE1
V
CE
=10V,I
C
=5mA
0.62
V
U
V
F
V
V
BE2
R
I
f
T
V
CE
=1V,I
C
=1A
V
CE
=5V,I
C
=10mA,f=100MHz
0.5
10
1
V
兆赫
m
过渡
注意事项：
频率
40
1测得1 MHz和应用
FE(1)
分类h及
反向的4.0 VDC电压。
秩
2-热阻结点到环境
BC868-10
85-160
CBC
BC868-16
100-250
CCC
BC868-25
160-375
疾病预防控制中心
范围
记号
2012-
2012-06
0
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
