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BC817-40WT1 参数 Datasheet PDF下载

BC817-40WT1图片预览
型号: BC817-40WT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 293 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
BC817-40WT1
THRU
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
低调的表面安装,以便应用程序
威伦
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
更好的反向漏电流和耐热性。
特征
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
基本特征
正向电压降。
高电流能力,低
浪涌能力。
直流电流增益
保护。
Guardring过电压
V)
(I
C
= 100毫安, V
CE
= 1.0
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
(I
C
= 500毫安, V
CE
= 1.0 V)
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
集电极 - 发射极饱和电压
无卤素产品的包装代号后缀"H"
(I
C
= 500毫安,我
B
= 50 mA)的
符号
典型值
0.146(3.7)
0.130(3.3)
最大
单位
0.012 ( 0.3 )典型值。
h
FE
250
40
600
0.071(1.8)
0.056(1.4)
V
CE ( SAT )
0.7
V
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
ry
0.031 ( 0.8 )典型值。
小信号特性
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
(
模压塑料, SOD- 123H
I
:
C
= 500毫安, V
CE
= 1.0 V)
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
电流增益 - 带宽积
极性:由阴极频带指示
( I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
dc
, F = 100兆赫)
安装位置:任意
输出电容
重量:的逼近0.011克
(V
CB
= 10 V , F = 1.0兆赫)
基射极电压ON
V
BE(上)
1.2
V
0.031 ( 0.8 )典型值。
INA
f
T
C
敖包
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
尺寸以英寸(毫米)
兆赫
100
10
pF
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
设备
记号
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
航运
对于容性负载,减免电流20 %
BC817-40WT1
YM
3000/Tape&Reel
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
Pr
el
im
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
订购信息
最大额定值和电气特性
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
18
80
56
80
1.0
 
30
40
120
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大正向平均整流电流
 
AMP
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
I
FSM
 
 
AMP
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
-55到+125
 
-55到+150
℃/W
PF
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
I
R
MAM
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
 
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-
威伦电子股份有限公司。