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BC807-40WT1 参数 Datasheet PDF下载

BC807-40WT1图片预览
型号: BC807-40WT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 315 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
BC807-40WT1
THRU
FM1200-M
通用晶体管
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
威伦
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
PNP硅
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
高浪涌能力。
无卤素产品
保护。
代号后缀"H"
Guardring过电压
填料
超高速开关。
设备标记和订购信息
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
记号
航运
无铅零件符合环保标准
设备
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
BC807-40WT1
SOT-323
3000/Tape&Reel
YL
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT–323
最大额定值
机械数据
ry
0.031 ( 0.8 )典型值。
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
等级
符号
价值
单位
案例:模压塑料, SOD- 123H
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
–45
V
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
集电极 - 基
方法2026
电压
V
CBO
–50
–5.0
V
发射极 - 基
由阴极指示
EBO
V
BAND
极性:
电压
V
3
集热器
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
1
BASE
INA
–500
MADC
最大
225
1.8
单位
mW
毫瓦/°C的
R
θJA
P
D
12
20
14
尺寸以英寸(毫米)
2
辐射源
安装位置:任意
连续集电极电流 -
热特性
I
C
重量:的逼近0.011克
 
标识代码
Pr
el
评级
热阻,结到环境
im
特征
符号
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
P
D
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
T
A
= 25°C
对于容性负载,减免电流20 %
减免上述25℃
器件总功耗
最大的经常峰值反向电压
氧化铝基板, (2)T
A
= 25°C
最大额定值和电气特性
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
最大RMS
25℃以上
减额
电压
 
V
DC
R
θJA
20
结温和存储温度
最大正向平均整流电流
I
O
T
J
, T
英镑
-55到+150
 
电气特性
(T
A
=
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
25℃ ,除非另有说明)。
I
FSM
最大直流阻断电压
热阻,结到环境
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
556
13
30
300
21
2.4
30
417
14
40
° C / W
15
50
mW
28
毫瓦/°C的
35
40
° C / W
50
°C
16
60
42
60
1.0
 
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
 
单位
典型热阻(注2 )
特征
符号
R
θJA
C
J
T
J
 
典型值
开关特性
典型结电容(注1 )
工作温度范围
集电极 - 发射极击穿电压
存储温度范围
 
-55到+125
最大
40
120
 
 
-55到+150
 
-
到+175
65
V
 
(I
C
= -10毫安)
V
TSTG
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
–45
–50
0.50
集电极 - 发射极击穿电压
特征
最大
EB
= 0 , I C = -10μA )
1.0A DC
(V
在正向电压
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
发射极 - 基极击穿电压
@T A = 125 ℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
I
R
0.70
V
0.85
0.9
0.92
 
0.5
 
(I
E
= –1.0
µA)
V
( BR ) EBO
I
CBO
–5.0
10
V
注意事项:
收藏家Cuto FF电流
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
(V
CB
= –20 V)
–100
–5.0
nA
µA
 
 
(V
CB
= -20 V,T
J
= 150°C)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-
威伦电子股份有限公司。