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BAV99DW 参数 Datasheet PDF下载

BAV99DW图片预览
型号: BAV99DW
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内容描述: SOT- 363塑封装二极管 [SOT-363 Plastic-Encapsulate Diode]
分类和应用: 二极管测试光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 324 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOT- 363塑封装二极管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理
开关二极管
设计,出色的功耗报价
FM120-M
THRU
BAV99DW
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOT-363
0.146(3.7)
0.130(3.3)
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
型材表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
开关速度快
低功耗,高效率。
超小型表面贴装封装
下降。
高电流能力,低正向电压
高浪涌能力。
对于通用开关应用
Guardring过电压保护。
高电导
超高速开关。
无铅
外延平面芯片,金属硅交界处。
包可
无铅零件符合环保标准
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
of
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
无卤素产品包装
& QUOT ; G& QUOT ;
符合RoHS的产品包装代号后缀
代码后缀“H”的
湿气
免费产品
LEVEL 1
代号后缀"H"
卤素
灵敏度
填料
SOD-123H
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
制作花絮: KJG
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
最大额定值@T
A
=25℃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
参数
峰值重复峰值反向电压
峰值反向电压
工作
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
隔直
电压
方法2026
机械数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
范围
75
单位
V
尺寸以英寸(毫米)
连续电流
前锋
重量:的逼近0.011克
在25 ℃评分
峰值正向浪涌电流
不重复
环境温度,除非另有规定。
T =是1.0μs
@
300
150
2
1
200
mA
mA
A
I
O
平均整流输出电流
最大额定值和电气特性
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
 
@ T = 1.0S
12
20
14
20
13
30
21
30
I
FSM
功耗
评级
最大的经常峰值反向电压
mW
P
D
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
14
R
θJA
15
40
50
28
16
625
18
60
80
10
℃/W
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
标识代码
热阻结到环境空气
工作结温
最大RMS电压
最大
温度
存储
阻断电压DC
T
J
35
150
56
42
1.0
 
30
Vo
Vo
40
T
英镑
50
60
-55-150
80
Vo
最大正向平均整流电流
 
Am
 
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
 
最大
单位
V
Am
参数
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
符号
R
θJA
C
J
 
TEST
 
条件
40
120
 
℃/
P
反向击穿电压
工作温度范围
存储温度范围
V
T
J
( BR )R
TSTG
-55到+125
2.5µA
I
R
=
 
75
-55到+150
 
反向电压漏电流
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
0.025
V
R
=20V
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
V
F
I
R
0.50
I = 1毫安
F
I
R
V
R
=75V
0.70
-
65
到+175
2.5
0.85
715
µA
0.9
0.92
 
Vo
正向电压
额定阻断电压DC
 
V
F
注意事项:
1-
结电容
测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
= 0中,f = 1MHz的
I
F
=I
R
=10mA,I
rr
=0.1×I
R,
R
L
=100Ω
0.5
10
855
1000
1250
2
4
mV
mA
C
T
t
rr
pF
nS
 
 
尊恢复时间
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。