欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BAV70W 参数 Datasheet PDF下载

BAV70W图片预览
型号: BAV70W
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: SOT- 323塑封装二极管 [SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 353 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号BAV70W的Datasheet PDF文件第2页  
威伦
二极管
SOT- 323塑封装
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
开关二极管
特点
特点
工艺设计,出色的功耗报价
批量
更好的反向漏电流和耐热性。
快速开关
安装
低调的表面
速度
为了申请
优化电路板空间。
对于通用开关应用
低功耗,高效率。
高电导
高电流能力,低正向电压降。
无铅
能力。
高浪涌
包可
Guardring过电压保护。
后缀“ G”
符合RoHS的产品包装代码
超高速开关。
无卤
平面芯片,
包装代号后缀
硅外延
产品
金属硅交界处。
“H”
湿度敏感度等级1
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
BAV70W
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOT-323
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1
3
2
ry
0.031 ( 0.8 )典型值。
标记: KJA
或A4
机械数据
最大额定值@ TA = 25 ℃
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
塑料, SOD- 123H
案例:模压
参数
符号
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
RM
V
非重复性峰值反向电压
峰值重复峰值反向电压
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
极限
100
0.031 ( 0.8 )典型值。
单位
V
极性:由阴极频带指示
工作峰值反向电压
安装位置:任意
隔直
:
电压
重量的逼近0.011克
RMS反向电压
正向连续电流
INA
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
FM
I
O
I
FSM
12
20
14
13
Pd
30
21
V
RRM
尺寸以英寸(毫米)
75
V
im
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
最大额定值和电气特性
53
V
mA
mA
A
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
平均整流输出电流
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免
电流@ T =是1.0μs
峰值正向浪涌
20%的电流
评级
标识代码
功耗
最大RMS电压
符号
@t = 1.0S
300
150
2.0
Pr
el
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
1.0
最大的经常峰值反向电压
热阻结到环境
R
θJA
14
40
28
40
15
50
35
50
16
200
60
42
625
18
80
56
80
10
100
70
100
115
mW
℃/W
105
150
120
200
140
200
连接点
阻断电压
最大直流
温度
 
储存温度
最大正向平均整流电流
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
20
T
j
30
150
60
-55~+150
1.0
 
30
150
T
英镑
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
电气额定值@ TA = 25 ℃
 
I
FSM
 
 
条件
安培
典型热阻(注2 )
参数
工作温度范围
存储温度范围
典型结电容(注1 )
R
θJA
符号
反向击穿电压
V
( BR )
T
J
C
J
75
 
典型值
 
最大
0.715
0.855
单位
V
-55到+125
40
120
 
℃/W
PF
 
-55到+150
I
R
=100μA
V
F1
TSTG
V
F2
V
F3
V
F
I
R
0.50
V
-
65
到+175
V
0.70
I
F
=1mA
I
F
=10mA
0.85
 
正向电压
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
1.0
V
I
F
=50mA
0.9
0.92
 
V
F4
I
R1
I
R2
T
1.25
2.5
25
2
4
V
μA
nA
pF
ns
0.5
10
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
MAMP
 
注意事项:
反向电流
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
C
终端之间的电容
 
 
2-热阻结点到环境
反向
恢复时间
t
rr
2012-1
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。