SOD- 323塑封装二极管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
包
SOD-323
威伦
BAV19WS
FM120-M
BAV20WS
THRU
BAV21WS
FM1200-M
无铅产品
特点
快速开关二极管
•
批量
特点
工艺设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
包装外形
SOD-123H
快
低调的表面安装，以便应用程序
•
开关速度
优化电路板空间。
表面贴装型封装非常适合自动插入
•
低功耗，高效率。
为
•
通用开关应用
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
无铅封装可用
•
Guardring过电压保护。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
超高速开关。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
湿度敏感度等级1
•
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.040(1.0)
标记： BAV19WS ：
额定阻燃
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0
A8
BAV20WS ： T2
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
BAV21WS ：
终端，每MIL -STD -750焊接的，
T3
•
端子：镀
最大额定值和电气特性，单二极管@ TA = 25 ℃
方法2026
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
参数
符号
BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
单位
•
安装位置：任意
120
200
250
V
V
RM
非重复性峰值反向电压
•
重量：的逼近0.011克
机械数据
极性：
颜色频带端为负极
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大额定值和电气特性
V
RWM
100
150
V
RRM
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
隔直
半波，60赫兹，感性阻性
V
R
单相
电压
负载。
为
反向电压
V
R（ RMS ）
RMS
容性负载，减免电流20 ％
250
V
71
13
30
21
30
14
40
28
40
106
400
15
200
50
35
2.5
50
0.5
16
60
42
60
1.0
30
40
120
141
18
80
56
80
V
10
115
mA
150
100
70
100
105
正向连续电流
平均整流
峰值反向电压
最大的经常
输出电流
最大RMS
浪涌
山顶前进
电压
电流@ T = 1.0ms的
最大直流阻断电压
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
标识代码
I
FM
I
O
RRM
V
I
FSM
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
20
mA
120
200
140
200
V
V
重复峰值正向电流
功耗
热阻结到
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
环境
最大正向平均整流电流
@ T = 1.0S
A
150
mA
mW
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FRM
625
250
A
I
FSM
Pd
A
R
θJA
R
θJA
C
J
T
J
-55到+125
500
-55~+150
℃/W
℃
℃
储存温度
工作温度范围
存储温度范围
T
英镑
-
65
到+175
-55到+150
TSTG
电气额定值@ TA = 25 ℃
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
参数
符号
I
R
V
F
民
典型值
0.50
最大
0.70
单位
0.5
10
0.85
条件
I
F
=0.1A
I
F
=0.2A
V
R
=100V
0.9
0.92
V
@T A = 125 ℃
m
正向电压
注意事项：
反向电流
从结点到环境
BAV19WS
2-热阻
BAV20WS
BAV21WS
终端之间的电容
反向恢复时间
V
F1
V
F2
1.0
1.25
0.1
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
V
I
R
0.1
0.1
μA
V
R
=150V
V
R
=200V
C
T
t
rr
5
50
pF
ns
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=30mA
2012-06
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
威伦电子股份有限公司
2012-1
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
