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BAS19 参数 Datasheet PDF下载

BAS19图片预览
型号: BAS19
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内容描述: SOT- 23塑封装二极管 [SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 337 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号BAS19的Datasheet PDF文件第2页  
SOT- 23塑封装二极管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
开关二极管
漏电流和耐热性。
更好的反
特点
型材表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
开关速度快
低功耗,高效率。
高电流能力,低
非常适合
表面贴装封装
正向电压降。
自动插入
高浪涌能力。
对于通用开关应用
Guardring过电压保护。
超高速开关。
高电导
包可
无铅
外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀
CODE
无卤素产品包装
& QUOT ; G& QUOT ;
后缀“H”的
卤素
灵敏度
填料
湿气
免费产品
LEVEL 1
代号后缀"H"
威伦
BAS19
THRU
BAS20
FM1200-M
无铅产品
FM120-M
特点
包装外形
SOT-23
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
1
3
2
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
方法2026
INA
符号
V
RM
V
R
I
BAS19
100
200
200
625
14
40
28
40
极性:由阴极频带指示
参数
安装位置:任意
非重复性峰值反向电压
重量:的逼近0.011克
阻断电压DC
平均整流输出电流
ry
BAS20
150
13
30
21
30
15
16
-55~+150
60
50
35
50
42
60
标记:
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
JP
BAS19
塑料, SOD- 123H
案例:模压
JR
或A80
BAS20
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
最大额定值@ TA = 25 ℃
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
单位
V
mA
最大额定值和电气特性
im
R
θ
JA
T
J
12
T
英镑
20
14
20
O
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
Pd
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
功耗
 
对于容性负载,减免电流20 %
mW
℃/W
10
100
70
100
热阻。结到环境
JunctionTemperature
标识代码
最大RMS电压
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
存储温度范围
电压
最大的经常峰值反向
最大直流阻断电压
Pr
el
150
V
RRM
V
RMS
V
DC
18
80
56
80
1.0
 
30
40
100
120
115
150
105
150
120
200
140
200
V
Vo
电气特性(除非另有说明,TA = 25 ℃ )
最大正向平均整流电流
I
O
 
Vo
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
参数
 
I
FSM
 
最大
单位
V
符号
V
( BR )R
TEST
条件
A
典型热阻(注2 )
反向击穿电压
工作温度范围
存储温度范围
典型结电容(注1 )
R
θJA
BAS19
 
I
 
R
= 100µA
-55到+125
 
BAS20
BAS19
TSTG
BAS20
V
F
@T A = 125 ℃
C
J
T
J
 
150
 
-55到+150
P
 
反向电压漏电流
特征
最大正向电压在1.0A DC
正向电压
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
结电容
I
R
V
R
=100V
V
R
=150V
I
F
=100mA
0.50
I
F
=200mA
0.70
-
65
到+175
0.1
0.85
µA
0.9
V
0.92
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
C
J
t
rr
I
R
0.5
10
1
1.25
5
50
V
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=I
R
=30mA,I
rr
=0.1×I
R
pF
ns
m
 
注意事项:
在1兆赫和应用4.0伏的反向电压。
1测
恢复时间
 
 
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。