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BAS16V 参数 Datasheet PDF下载

BAS16V图片预览
型号: BAS16V
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内容描述: SOT- 563塑封装二极管 [SOT-563 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 319 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号BAS16V的Datasheet PDF文件第2页  
威伦
SOT- 563塑封装二极管
特点
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
FM120-M
THRU
BAS16V
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
开关二极管
优化电路板空间。
特点
功率损耗,效率高。
高电流能力,
开关速度快
低正向压降。
高浪涌能力。
对于通用开关应用
Guardring过电压保护。
高电导
超高速开关。
包可
无铅
外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOT-563
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
6
5
1
4
湿度敏感度等级1
机械数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
标记: KAM
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
0.040(1.0)
0.024(0.6)
1
0.031 ( 0.8 )典型值。
2
3
0.031 ( 0.8 )典型值。
最大额定值@ TA = 25 ℃
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
参数
重量:的逼近0.011克
非重复性峰值
反向电压
方法2026
尺寸以英寸(毫米)
符号
V
RM
极限
100
单位
V
V
V
最大额定值和电气特性
V
RRM
峰值重复峰值
反向电压
在25 ℃评分
反向电压
75
工作峰值
环境温度,除非另有规定。
V
RWM
单相半波,
阻断电压DC
60Hz的,感性负载的电阻。
V
R
 
RMS反向电压
标识代码
对于容性负载,减免电流20 %
评级
正向连续电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
R( RMS )
I
FM
53
平均整流输出电流
最大的经常峰值反向电压
PEAK
正向浪涌电流
@t=1.0μs
最大RMS电压
最大直流阻断电压
 
V
RRM
I
O
V
RMS
V
DC
12
20
14
20
13
30
21
30
14
200
40
28
2.0
40
1.0
300
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
mA
10
70
mA
100
100
115
150
105
150
120
200
140
200
VOL
@t = 1.0S
I
FSM
A
伏特
伏特
最大正向平均整流电流
功耗
峰值正向浪涌电流
结到环境
热阻
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
R
I
FSM
θJA
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
I
O
P
D
150
833
mW
K / W
Am
 
Am
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
连接点
温度
存储
温度
T
j
T
英镑
 
150
-55~+150
 
 
-55到+125
 
℃/W
PF
电气特性(除非另有说明,TA = 25 ℃ )
 
-
65
到+175
-55到+150
 
参数
特征
最大正向电压在1.0A DC
符号
测试条件
最大
单位
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
V
F
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
 
VOL
反向击穿
电流
最大平均反向
电压
@T A = 25 ℃
额定阻断电压DC
 
@T A = 125 ℃
I
R
V
( BR )
I
R
I
R
= 100µA
V
R
=75V
V
R
=20V
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
= 0中,f = 1MHz的
I
F
=I
R
=10mA,I
rr
=0.1×I
R,
R
L
=100Ω
75
0.5
10
V
1
25
0.715
0.855
1
1.25
2
4
µA
nA
MAM
反向电压漏电流
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
 
正向电压
V
F
V
二极管电容
尊恢复时间
C
D
t
rr
pF
ns
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。