威伦
SOT- 23塑封装晶体管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
晶体管（ PNP ）
电路板空间。
OPTIMIZE
特点
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
无铅
高浪涌能力。
•
包可
•
Guardring
包装代号后缀“G”
符合RoHS的产品
过电压保护。
•
超高速开关。
卤素
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
免费的产品包装代号后缀为“H”
集电极电流：I
C
=0.5A
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
标记：
无卤素产品的包装代号后缀"H"
2TY
FM120-M
8550SLT1
THRU
FM1200-M
包
无铅PROD
特点
包装外形
SOT-23
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1.基地
2.辐射源
3.收集
0.071(1.8)
0.056(1.4)
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
符号
案例：模压塑料， SOD- 123H
参数
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
机械数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
价值
-40
-25
-5
-0.5
0.3
150
-55-150
单位
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
V
•
极性：由阴极频带指示
发射极 - 基
任何
•
安装位置：
电压
集电极电流 - 连续
•
重量：的逼近0.011克
集电极耗散功率
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
存储
60Hz，电阻
单相半波，
温度
感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
集电极 - 发射极电压
方法2026
尺寸以英寸（毫米）
V
A
W
℃
℃
结温
最大额定值和电气特性
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH
符号
FM120-M
FM1200
标识代码
参数
最大的经常峰值反向电压
集电极 - 基极击穿电压
最大直流阻断电压
集电极 - 发射极击穿电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
V
RRM
V
RMS
V
DC
符号
20
V
（ BR ） CBO
20
14
12
13
14
15
测试条件
30
40
50
16
60
42
60
民
80
-40
1.0
-25
30
56
80
18
最大
100
70
100
10
单位
150
V
V
V
105
115
120
200
140
200
最大RMS电压
I
30
= -100
μ
A，I
E
=0
C
40
50
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100
μ
A，I
C
=0
21
28
35
150
发射极 - 基极击穿
（ JEDEC的方法）
叠加在额定负荷
电压
集电极截止电流
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
典型热阻（注2 ）
I
O
V
（ BR ） CEO
I
FSM
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
-5
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
V
= -40V ，我
E
=0
CB
40
120
-0.1
-0.1
-
65
到+175
-55到+150
μ
A
μ
A
0.9
集电极截止电流
存储温度范围
V
CE
= -20V ，我
B
=0
特征
发射极截止电流
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
直流电流增益
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
A
符号
I
EBO
V
EB
= -3V ，我
C
=0
-0.1
μ
FM1150-MH
FM1200-
V
F
I
R
0.50
0.70
0.85
0.92
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -500mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -6V ，我
C
= -20mA
0.5
120
10
400
@T A = 125 ℃
注意事项：
50
-0.6
-1.2
150
V
V
兆赫
集电极 - 发射极饱和电压
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
基射极饱和电压
跃迁频率
f
T
f=
30MHz
分类h及
FE(1)
秩
2012-06
范围
L
120-200
200-350
H
威伦电子有限公司
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
