SOT- 23塑封装晶体管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
晶体管
更好的反向漏电流和耐热性。
（ NPN ）
•
低调的表面安装，以便应用程序
威伦
FM120-M
8050SLT1
THRU
FM1200-M
包
无铅PROD
特点
包装外形
SOD-123H
特点
•
低功耗，高效率。
•
包可
无铅
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
Guardring过电压保护。
卤素
超
产品
切换。
代码后缀“H”的
•
免费
快速
填料
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
集电极电流：I
C
=0.5A
环保标准
•
无铅零件符合
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
优化电路板空间。
SOT-23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1.基地
2.辐射源
3.收集
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
RoHS指令
标记： J3Y
产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.040(1.0)
0.024(0.6)
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
参数
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
集电极 - 基极电压
V
CBO
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
首席执行官
I
C
P
C
T
j
集电极 - 发射极电压
方法2026
机械数据
价值
0.031 （ 0.8 ）典型值。
单位
V
V
A
W
℃
℃
40
25
0.5
0.3
150
-55-150
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
EBO
发射极 - 基
由阴极
•
极性：指示
电压
BAND
集电极电流
•
安装位置：任意
-Continuous
•
重量：的逼近0.011克
集电极耗散
结温
5
V
尺寸以英寸（毫米）
储存温度
T
英镑
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
电气特性（T
a
= 25 ℃ ，除非
对于容性负载，减免电流20 ％
记号
参数
CODE
评级
最大额定值和电气特性
另有规定）
测试条件
12
13
14
20
30
40
28
40
20
30
15
民
16
50
60
35
40
50
符号
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200
典型值
18
集电极 - 基极击穿电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大的经常峰值反向电压
V
（ BR ） CBO
V
RMS
V
DC
V
RRM
I
C
14
100
μ
A，I
E
=0
=
21
80
56
80
最大
10
100
70
100
单位
115
V
105
V
150
150
120
200
140
200
42
60
1.0
30
40
120
集电极 - 发射极击穿电压
I
O
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
最大正向平均整流电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
C
= 1mA时，我
B
V
（ BR ） CEO
= 0
I
E
=100
μ
A，I
C
=0
V
CB
=40 V ,
I
E
0
=
25
5
V
集电极截止电流
（注2 ）
典型热阻
集电极截止电流
工作温度范围
存储温度范围
典型结电容（注1 ）
I
CBO
θJA
R
I
首席执行官
T
J
I
EBO
V
H
FE(1)
F
@T A = 125 ℃
H
FE(2)
C
J
0.1
μ
A
-55
I
=
+125
V
CB
= 20V ,
to
E
0
-
65
到+175
-55
0.1
+150
μ
A
to
TSTG
发射极截止电流
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
直流电流增益
额定阻断电压DC
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
0.50
V
CE
= 1V ，我
C
= 50毫安
0.70
120
0.1
0.85
350
μ
A
0.9
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-
0.92
I
R
0.5
10
V
CE
= 1V ，我
C
= 500毫安
我= 500 mA时，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 20mA下
50
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
0.6
1.2
150
V
V
兆赫
跃迁频率
f=
30MHz
分类h及
FE(1)
秩
L
H
范围
2012-06
120-200
威伦电子有限公司
200-350
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
