1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
N沟道MOSFET
特点
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
SOT- 23塑料封装
MOSFET的
威伦
FM120-M
THRU
2SK3018LT1
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
特点
表面贴装为了申请
•
低调
优化电路板空间。
低导通电阻
•
低功耗，高效率。
开关速度
高
•
快
电流能力，低正向电压降。
高
电压驱动
•
低
浪涌能力。
使该器件非常适用于便携式设备
Guardring过电压保护。
•
易于设计的驱动电路
•
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
易并行
无铅零件符合环保
•
无铅封装可用
标准
符合RoHS的产品
包装代号后缀“G”
•
符合RoHS的产品
包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
SOT-23
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
1.门
2.源
3.排水
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
MOSFET的最大额定值（T
a
= 25 ° C除非另有说明）
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
单位
符号参数
价值
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
DS
漏源
电压
方法2026
机械数据
标记： KN
等效电路
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
30
V
•
栅源电压
V
GSS
极性：由阴极频带指示
连续
：任何
I
D
•
安装位置
漏电流
P
D
T
J
±20
0.1
0.35
-55~+150
357
13
30
21
V
A
W
℃
℃
/W
14
40
28
40
15
50
35
50
尺寸以英寸（毫米）
•
重量：的逼近0.011克
功耗
结温
和电气特性
150
最大额定值
℃
在25 ℃评分
储存温度
环境温度，除非另有规定。
T
英镑
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
热阻，结到环境
R
θJA
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
MOSFET电气特性（T
a
= 25℃除非另有说明）
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
参数
V
RRM
测试条件
符号
V
RMS
V
DC
I
O
14
12
20
民
30
16
60
开关特性
最大直流阻断电压
漏源击穿电压
42
1.0
30
典型值
18
80
56
80
最大
10
100
70
100
单位
V
nA
V
Ω
Ω
mS
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
最大正向平均整流电流
V
DS
V
GS
= 0V时，我
D
= 10µA
V
DS
=30V,V
GS
= 0V
20
30
60
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
零栅极电压漏极电流
栅 - 源漏电流
I
DSS
0.2
±500
µA
I
GSS
I
FSM
V
GS
=±20V, V
DS
= 0V
C
J
安培
℃/W
PF
℃
℃
栅极阈值电压
典型热阻（注2 ）
V
GS （ TH）
θJA
V
DS
= 3V ，我
D
=100µA
R
R
DS （ ON）
T
J
g
FS
V
F
I
R
典型结电容（注1 ）
存储温度范围
漏源导通电阻
工作温度范围
V
GS
= 4V ，我
D
= 10毫安
V
GS
=2.5V,I
D
=1mA
0.8
40
120
1.5
-55到+125
-
65
到+175
-55到+150
8
TSTG
13
正向跨导
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
输出电容
V
DS
= 3V ，我
D
= 10毫安
0.50
动态特性*
特征
20
0.70
0.5
10
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
输入电容
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
C
国际空间站
@T A = 125 ℃
OSS
C
13
9
4
15
0.85
pF
0.9
0.92
伏
毫安
V
DS
=5V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
pF
pF
ns
ns
ns
ns
反向
注意事项：
传输电容
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=5V, V
DD
=5V,
I
D
= 10毫安， RG = 10Ω ，R
L
=500Ω,
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
开关特性*
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
35
80
80
*这些参数都无从查证。
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
