通用晶体管
1.0A表面贴装肖特基
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
图7集电极 - 发射极饱和电压与
•
低调的表面安装，以便应用程序
集热器
优化电路板空间。
电流（ ）
•
低功耗，高效率。
0.5
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
0.2
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
0.1
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.05
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
2SC2412KxLT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
势垒整流器-20V- 200V
SOD-123
包
特点
包装外形
图8集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流（ ）
0.5
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOD-123H
V
CE （ SAT ）
，集电极饱和电压（ V）
V
CE （ SAT ）
，集电极饱和电压（ V）
0.2
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.1
0.05
机械数据
0.02
0.02
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
0.01
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
I
C
，集电极电流（毫安）
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.01
0.2
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
•
图9增益带宽积与发射极电流
•
重量：的逼近0.011克
f
r
过渡频率（MHz）
500
图10集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance与发射极 - 基极电压
C
ob
，集电极输出电容（pF ）
C
ib
极，发射极输入电容（pF ）
20
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
200
10
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
5
标识代码
最大的经常峰值反向电压
100
最大RMS电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
–50
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
2
16
60
42
60
1.0
1
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
35
50
Vo
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
Vo
50
–0.5
–1
峰值正向浪涌电流8.3
–2
单身
–5
正弦波
–20
ms
半
–10
1
0.2
0.5
A
–100
2
5
10
20
50
叠加在额定负荷
I
（ JEDEC的方法）
，发射极电流（毫安）
E
A
典型热阻（注2 ）
C c
-
r
bb
，基地集热器时间常数（ PS ）
V
CB
，集电极到基极电压（ V）
典型结电容（注1 ）
时间常数vs.emitter电流
C
J
图11中相应集电极
-55到+125
工作温度范围
T
J
存储温度范围
TSTG
40
V
EB
，发射器基极电压（ V）
120
℃
P
-
65
到+175
-55到+150
℃
℃
200
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
100
最大正向电压在1.0A DC
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
V
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
50
I
R
mA
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
10
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
20
I
E
，发射极电流（毫安）
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
