SOT- 89塑封装晶体管
特点
威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
FM120-M
2SB1260
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOT-89
SOD-123H
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
晶体管（ PNP ）
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
特点
优化电路板空间。
动力
功率损耗，效率高。
•
低
晶体管
•
高电流能力，低
高电压和电流
正向电压降。
•
高浪涌能力。
低集电极 - 发射极饱和电压
•
Guardring过电压保护。
无铅封装可用
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属
后缀“ G”
符合RoHS的产品包装代码
硅结。
•
无铅零件符合环保标准
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1.基地
2.收集
3.辐射源
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
最大额定值
额定阻燃
另有说明）
•
环氧树脂： UL94 -V0
(T
a
= 25 ℃ ，除非
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
符号
参数
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
CBO
集电极 - 基极电压
方法2026
V
首席执行官
•
极性
集电极 - 发射极电压
：由阴极频带指示
发射极 - 基极电压
V
EBO
•
安装位置：任意
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
：的逼近0.011克
I
C
重量
集电极电流
P
C
R
集电极耗散功率
最大额定值和电气特性
从结点到环境的热阻
250
im
12
20
除非
14
θJA
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
结温
单身
T
j
相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
储存温度
T
英镑
评级
标识代码
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
INA
-1
A
500
mW
℃
℃/W
℃
16
60
42
18
80
10
100
115
150
120
200
140
200
Pr
el
最大的经常
特征
电动
峰值反向电压
最大RMS电压
V
RRM
(T
a
=25℃
V
RMS
13
14
15
30
40
50
另有规定）
21
28
35
50
ry
-80
V
-80
-5
V
150
-55~+150
民
60
-80
1.0
-80
-5
30
价值
0.031 （ 0.8 ）典型值。
单位
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
尺寸以英寸（毫米）
V
参数
最大直流阻断电压
符号
V
DC
V
（ BR ） CBO
I
O
V
（ BR ） CEO
条件
20
TEST
30
40
I
C
=-50µA,I
E
=0
I
E
=-50µA,I
C
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
典型值
80
56
最大
100
70
单位
150
V
V
V
105
V
V
集电极 - 基极击穿电压
最大正向平均整流电流
发射极 - 基极击穿
法）
叠加在额定负荷（ JEDEC
电压
典型热阻（注2 ）
集电极截止电流
工作温度范围
典型结电容（注1 ）
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） EBO
R
I
CBO
θJA
C
J
T
J
I
FSM
A
V
CB
=-60V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
+125
=0
-55〜
C
V
CE
= -3V ，我
C
=-0.1A
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CB
=-10V,I
E
= 0中，f = 1MHz的
0.50
0.70
发射极截止电流
I
EBO
40
120
-1
µA
µA
℃
直流电流增益
存储温度范围
82
65
到+175
-
25
-55到+150
-1
h
FE
TSTG
V
CE （ SAT ）
V
F
@T A = 125 ℃
390
-0.4
0.85
集电极 - 发射极饱和电压
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
V
pF
0.9
0.92
集电极输出电容
跃迁频率
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
C
ob
V
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
T
f
V
CE
=-5V,I
C
=-50mA,
f=30MHz
0.5
10
100
兆赫
m
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
分类h及
FE
秩
范围
记号
P
82–180
Q
120–270
ZL
R
180–390
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
